杭州芯邁半導體技術有限公司蔡金勇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉杭州芯邁半導體技術有限公司申請的專利溝槽型場效應晶體管及溝槽型場效應晶體管的制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115497828B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211188475.9，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權溝槽型場效應晶體管及溝槽型場效應晶體管的制造方法是由蔡金勇;劉堅;董仕達;王振翰設計研發完成，并于2022-09-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本溝槽型場效應晶體管及溝槽型場效應晶體管的制造方法在說明書摘要公布了：本申請提供一種溝槽型場效應晶體管的制造方法，包括：形成外延層于襯底上；形成溝槽在外延層中，其中溝槽從外延層的表面延伸至外延層的內部的溝槽；形成第一絕緣層和屏蔽導體在溝槽中，其中第一絕緣層包圍屏蔽導體且部分填充溝槽；形成介質層于外延層上、第一絕緣層上及溝槽的側壁；部分刻蝕介質層以形成介質區，其中介質區位于第一絕緣層上及溝槽的側壁；以及形成第二絕緣層和柵極導體在溝槽中，其中第二絕緣層包圍柵極導體且填充溝槽并延伸至外延層的表面上。透過本申請所形成的溝槽型場效應晶體管，可使柵極?漏極電容的數值降低。
本發明授權溝槽型場效應晶體管及溝槽型場效應晶體管的制造方法在權利要求書中公布了：1.一種溝槽型場效應晶體管的制造方法，其特征在于，包括： 形成外延層于襯底上； 形成溝槽在所述外延層中； 形成第一絕緣層和屏蔽導體在所述溝槽中，其中所述第一絕緣層包圍所述屏蔽導體； 形成介質層于所述外延層上、所述第一絕緣層上及所述溝槽的側壁； 刻蝕部分所述介質層以形成多數個介質區，其中所述介質區位于所述第一絕緣層上及所述溝槽的側壁，并且兩相鄰的所述介質區之間具有一間距；以及 形成第二絕緣層和柵極導體在所述溝槽中，其中所述第二絕緣層包圍所述柵極導體且填充所述溝槽。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人杭州芯邁半導體技術有限公司，其通訊地址為：310051 浙江省杭州市濱江區西興街道聯慧街6號1-1201；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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