浙江大學姚崇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江大學申請的專利一種碳納米管與氧化鋅混合TFT CMOS邏輯電路及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115621283B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211016708.7，技術領域涉及：H10D84/85；該發明授權一種碳納米管與氧化鋅混合TFT CMOS邏輯電路及其制備方法是由姚崇;葉志設計研發完成，并于2022-08-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種碳納米管與氧化鋅混合TFT CMOS邏輯電路及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種碳納米管CNT與氧化鋅ZnO兩種半導體材料混合的TFTCMOS邏輯電路及其制備方法；CMOS電路結構由等數量的PNMOS構成；所述的CMOS基于平面薄膜生長以及圖形化技術工藝制作；所述的PMOS有源層為CNT，NMOS有源層為ZnO；所述的PMOS源漏電極為金，柵極為ITO，NMOS的三個電極均為ITO，PMOS和NMOS柵氧層均為Al2O3。本發明的TFTCMOS邏輯電路可以用于制備中小型規模的集成電路。本發明的混合材料CMOS邏輯電路成本較低，工藝簡易，具有優秀的電氣性能，相比傳統增強型、耗盡型以及偽CMOS，具有功耗低，噪聲容限大，增益高，結構簡單，集成度高的優點。
本發明授權一種碳納米管與氧化鋅混合TFT CMOS邏輯電路及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種碳納米管CNT與氧化鋅ZnO兩種半導體材料混合的TFTCMOS邏輯電路，其特征在于，所述CMOS邏輯電路的上管即PMOS為底柵結構，CMOS邏輯電路的下管即NMOS為頂柵結構；PMOS和NMOSTFT連接在CMOS邏輯電路的供電與接地之間；CMOS邏輯電路的輸入連接到PMOS和NMOSTFT的柵極，其輸出連接到PMOS和NMOSTFT相接的地方； 所述的NPMOSTFT包括柵、源、漏電極，以及有源層和柵氧層； 頂柵結構為源漏電極在下，柵極在上；底柵結構相反；二者通過刻蝕通孔連接； 所述NPMOSTFT的柵氧層均為氧化鋁，所述NMOSTFT的三個電極均為ITO，所述PMOSTFT的柵電極為ITO，源漏電極為金；所述PMOSTFT的有源層為CNT，所述NMOSTFT的有源層為ZnO。
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