山東大學;山東大學深圳研究院劉超獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉山東大學;山東大學深圳研究院申請的專利基于異質外延襯底的完全垂直型GaN功率二極管及方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115394833B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210881921.8，技術領域涉及：H10D62/10；該發明授權基于異質外延襯底的完全垂直型GaN功率二極管及方法是由劉超;邵泓杰;陳思豪設計研發完成，并于2022-07-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于異質外延襯底的完全垂直型GaN功率二極管及方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種低成本、高性能的基于異質外延襯底的完全垂直型GaN功率二極管的器件結構及其制備方法，屬于半導體器件技術領域。所述完全垂直型GaN功率二極管基于異質外延襯底，結合異質外延、襯底剝離，以及鍵合工藝，實現基于大尺寸、低成本的完全垂直型GaN功率二極管，大幅降低完全垂直型GaN功率二極管的制造成本。與傳統垂直型GaN功率二極管制備工藝不同，本專利提出在低電場的陰極一側刻蝕凹槽實現器件隔離，可有效避免傳統垂直型GaN功率二極管陽極附近凹槽處的電場聚集問題，避免器件提前擊穿，從而實現高性能的完全垂直型GaN功率二極管器件。
本發明授權基于異質外延襯底的完全垂直型GaN功率二極管及方法在權利要求書中公布了：1.一種基于異質外延襯底的完全垂直型GaN功率二極管的器件結構，其特征在于，所述完全垂直型GaN功率二極管基于異質外延襯底，在完全垂直型GaN功率二極管的低電場的陰極側刻蝕有凹槽，該凹槽為采用ICP干法刻蝕工藝刻蝕掉陰極電極及重摻雜n型氮化物層，暴露出輕摻雜n型氮化物漂移層而得到； 完全垂直型GaN功率二極管為PiN二極管或肖特基二極管； 所述PiN二極管由下至上依次包括陰極電極、重摻雜n型氮化物層、輕摻雜n型氮化物漂移層、重摻雜p型氮化物層、陽極電極和低阻Si支撐層； 所述肖特基二極管由下至上依次包括陰極電極、重摻雜n型氮化物層、輕摻雜n型氮化物漂移層、陽極肖特基接觸電極和低阻Si支撐層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人山東大學;山東大學深圳研究院，其通訊地址為：250199 山東省濟南市歷城區山大南路27號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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