中國科學院理化技術研究所張春暉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院理化技術研究所申請的專利一種促進氣泡轉移和氣體擴散的析氣電極及其制備方法和應用獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115354355B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202210798965.4，技術領域涉及：C25B11/032；該發(fā)明授權一種促進氣泡轉移和氣體擴散的析氣電極及其制備方法和應用是由張春暉;江雷設計研發(fā)完成，并于2022-07-08向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種促進氣泡轉移和氣體擴散的析氣電極及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種促進氣泡轉移和氣體擴散的析氣電極及其制備方法和應用，所述析氣電極包括導電基底；設置在導電基底表面的超疏水涂層；所述超疏水涂層表面具有貫穿所述超疏水涂層的孔洞的陣列；所述孔洞用于發(fā)生電催化析氣反應并產生氣泡。其中，本發(fā)明提供的析氣電極能有效促進氣泡快速轉移和溶解氣體分子的快速擴散，進而實現高效率的電極反應。以電化學析氫反應為例，本發(fā)明的析氣電極可將氣泡的轉移時間控制在5ms內。
本發(fā)明授權一種促進氣泡轉移和氣體擴散的析氣電極及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種促進氣泡轉移和氣體擴散的析氣電極，其特征在于，包括導電基底（1）；設置在導電基底表面的超疏水涂層（2）；所述超疏水涂層表面具有貫穿所述超疏水涂層的孔洞的陣列（3）；所述孔洞用于發(fā)生電催化析氣反應并產生氣泡； 所述孔洞的直徑為50微米-1000微米，相鄰孔洞的間距為500微米-2000微米； 所述超疏水涂層對水滴的接觸角為150°-180°，對氣泡的接觸角為0°-10°； 所述孔洞的內表面至少部分對水滴的接觸角為0°-65°，對氣泡的接觸角為90°-180°； 所述析氣電極按照如下步驟制備得到： （1）將導電基底進行超疏水修飾，獲得表面有超疏水涂層的導電基底； （2）刻蝕掉部分超疏水涂層，使超疏水涂層表面具有貫穿所述超疏水涂層的孔洞的陣列。
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