廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司李森林獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門士蘭明鎵化合物半導體有限公司申請的專利發光二極管及其制造方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114899287B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202210418209.4,技術領域涉及:H10H20/816;該發明授權發光二極管及其制造方法是由李森林;王亞宏;廖寅生;薛龍;賴玉財;謝嵐馳設計研發完成,并于2022-04-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本發光二極管及其制造方法在說明書摘要公布了:本申請公開了一種發光二極管及其制造方法。該發光二極管包括:透明襯底;透明鍵合層,位于透明襯底上;透明導電層,位于透明鍵合層上;外延層,位于透明導電層上,外延層包括從下到上依次堆疊的第二半導體層、發光層及第一半導體層,外延層覆蓋部分透明導電層,使透明導電層的至少部分表面露出;其中,第二半導體層至少包括第二限制層和第二電流擴展層,第二電流擴展層位于第二限制層和透明導電層之間,第二電流擴展層為超晶格結構。通過采用透明襯底的倒裝設計、具有超晶格結構的第二電流擴展層以及可增透增亮的透明導電層,極大的提高了電流橫向擴展能力,使電流均勻分布,大大提高了光提取效率,進而提升光效。
本發明授權發光二極管及其制造方法在權利要求書中公布了:1.一種發光二極管,其特征在于,包括: 透明襯底; 透明鍵合層,位于所述透明襯底上; 透明導電層,位于所述透明鍵合層上; 外延層,位于所述透明導電層上,所述外延層包括從下到上依次堆疊的第二半導體層、發光層及第一半導體層,所述外延層覆蓋部分透明導電層,使所述透明導電層的至少部分表面露出; 其中,所述第二半導體層至少包括第二限制層和第二電流擴展層,所述第二電流擴展層位于所述第二限制層和所述透明導電層之間,所述第二電流擴展層為超晶格結構;所述第二限制層和所述第二電流擴展層之間還設置有過渡層; 所述發光二極管還包括: 絕緣層,所述絕緣層覆蓋所述外延層的表面和側壁; 第一導通通道,位于所述外延層上,貫穿所述絕緣層與所述第一半導體層電連接; 第一電極,位于所述絕緣層上,與所述第一導通通道電連接; 第二導通通道,位于所述透明導電層上,貫穿所述絕緣層與所述透明導電層電連接; 第二電極,位于所述絕緣層上,與所述第二導通通道電連接; 所述第二電流擴展層包括交替堆疊的磷化鎵層和磷化鋁層,沿垂直于所述第一半導體層指向所述第二半導體層的方向,所述磷化鎵層的厚度逐漸增大,所述磷化鋁層的厚度逐漸減小。
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