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龍圖騰網(wǎng)獲悉英特爾公司申請(qǐng)的專利用于高級(jí)集成電路結(jié)構(gòu)制造的雙金屬柵極結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN109860185B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-22發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：201811297672.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D84/85；該發(fā)明授權(quán)用于高級(jí)集成電路結(jié)構(gòu)制造的雙金屬柵極結(jié)構(gòu)是由J·S·萊布;J·胡;A·達(dá)斯古普塔;M·L·哈藤多夫;C·P·奧特設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2018-10-31向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本用于高級(jí)集成電路結(jié)構(gòu)制造的雙金屬柵極結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本公開的實(shí)施例屬于高級(jí)集成電路結(jié)構(gòu)制造的領(lǐng)域，并且具體而言屬于10納米節(jié)點(diǎn)和更小的集成電路結(jié)構(gòu)制造和所得結(jié)構(gòu)的領(lǐng)域。在示例中，一種集成電路結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括具有從其突出的半導(dǎo)體鰭狀物的N阱區(qū)。溝槽隔離層在所述半導(dǎo)體襯底上、包圍所述半導(dǎo)體鰭狀物，其中所述半導(dǎo)體鰭狀物在所述溝槽隔離層上方延伸。柵極電介。質(zhì)層在所述半導(dǎo)體鰭狀物之上。導(dǎo)電層在所述半導(dǎo)體鰭狀物之上的所述柵極電介質(zhì)層之上，所述導(dǎo)電層包括鈦、氮和氧。P型金屬柵極層在所述半導(dǎo)體鰭狀物之上的所述導(dǎo)電層之上。

本發(fā)明授權(quán)用于高級(jí)集成電路結(jié)構(gòu)制造的雙金屬柵極結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種集成電路結(jié)構(gòu)，包括： 半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括具有從其突出的第一半導(dǎo)體鰭狀物的N阱區(qū)以及具有從其突出的第二半導(dǎo)體鰭狀物的P阱區(qū)，所述第一半導(dǎo)體鰭狀物與所述第二半導(dǎo)體鰭狀物間隔開，其中，所述N阱區(qū)在所述半導(dǎo)體襯底中與所述P阱區(qū)直接相鄰； 溝槽隔離層，其在所述半導(dǎo)體襯底上、在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物的外部并在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物之間，其中，所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物在所述溝槽隔離層上方延伸； 柵極電介質(zhì)層，其在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物上并在所述溝槽隔離層上，其中，所述柵極電介質(zhì)層在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物之間是連續(xù)的； 導(dǎo)電層，其在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物之上的所述柵極電介質(zhì)層之上，但不在所述第二半導(dǎo)體鰭狀物之上的所述柵極電介質(zhì)層之上，所述導(dǎo)電層包括鈦、氮和氧； p型金屬柵極層，其在所述第一半導(dǎo)體鰭狀物之上的所述導(dǎo)電層之上，但不在所述第二半導(dǎo)體鰭狀物之上的所述導(dǎo)電層之上，其中，所述p型金屬柵極層進(jìn)一步在所述溝槽隔離層的一部分而非全部上； 在所述第二半導(dǎo)體鰭狀物之上的n型金屬柵極層，其中，所述n型金屬柵極層進(jìn)一步在所述溝槽隔離層之上并在所述p型金屬柵極層之上；以及 所述溝槽隔離層上方的層間電介質(zhì)ILD層，所述層間電介質(zhì)層具有開口，所述開口暴露所述第一半導(dǎo)體鰭狀物和所述第二半導(dǎo)體鰭狀物，其中，所述導(dǎo)電層、所述p型金屬柵極層和所述n型金屬柵極層進(jìn)一步沿所述開口的側(cè)壁形成，并且其中，所述導(dǎo)電層沿所述開口的側(cè)壁具有頂表面，所述頂表面低于所述p型金屬柵極層和所述n型金屬柵極層沿所述開口的側(cè)壁的頂表面。

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