中國電子科技集團公司第十三研究所楊大寶獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國電子科技集團公司第十三研究所申請的專利太赫茲GaAs肖特基二極管芯片襯底替換方法及異構芯片獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114582724B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210086524.1，技術領域涉及：H10D8/01；該發明授權太赫茲GaAs肖特基二極管芯片襯底替換方法及異構芯片是由楊大寶;邢東;劉波;趙向陽;馮志紅設計研發完成，并于2022-01-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本太赫茲GaAs肖特基二極管芯片襯底替換方法及異構芯片在說明書摘要公布了：本發明提供了一種太赫茲GaAs肖特基二極管芯片襯底替換方法及異構芯片，屬于半導體技術領域，包括制備外延晶圓片；肖特基二極管基本結構制作；減薄外延晶圓片；在減薄后的外延晶圓片背面涂預設厚度的低介質膠，形成低介電常數襯底；在低介電常數襯底的表面粘接臨時保護性基板；去除外延晶圓片正面的臨時性磨片基板；陽極陰極隔離腐蝕；一次固化低介電常數襯底；去除低介電常數襯底表面的臨時保護性基板；二次固化所述低介電常數襯底，完成芯片的制作。本發明提供的太赫茲GaAs肖特基二極管芯片襯底替換方法，直接能夠制造小于10微米的異構襯底，無需對異構替換后的襯底做減薄處理，且直接涂膠固化形成襯底，制作容易，工藝參數易于控制。
本發明授權太赫茲GaAs肖特基二極管芯片襯底替換方法及異構芯片在權利要求書中公布了：1.一種太赫茲GaAs肖特基二極管芯片襯底替換方法，其特征在于，包括： 制備外延晶圓片； 在所述外延晶圓片上制作肖特基接觸作為陽極8，歐姆接觸作為陰極6； 在所述外延晶圓片正面粘接臨時性磨片基板9，以此作為臨時性襯底，減薄所述外延晶圓片； 在減薄后的外延晶圓片背面涂敷預設厚度的低介質膠，形成低介電常數襯底10； 在所述低介電常數襯底10的表面粘接臨時保護性基板11； 以所述臨時保護性基板作為臨時襯底，去除外延晶圓片正面的所述臨時性磨片基板9； 陽極陰極隔離腐蝕； 一次固化所述低介電常數襯底10； 去除所述低介電常數襯底10表面的所述臨時保護性基板11； 二次固化所述低介電常數襯底10，完成芯片的制作。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國電子科技集團公司第十三研究所，其通訊地址為：050051 河北省石家莊市合作路113號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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