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龍圖騰網獲悉江西兆馳半導體有限公司申請的專利一種外延片、外延片生長方法及高電子遷移率晶體管獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114551594B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210051646.7，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權一種外延片、外延片生長方法及高電子遷移率晶體管是由胡加輝;劉春楊;金從龍;顧偉設計研發完成，并于2022-01-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種外延片、外延片生長方法及高電子遷移率晶體管在說明書摘要公布了：本發明提供一種外延片、外延片生長方法及高電子遷移率晶體管，該外延片包括依次層疊設置的Si襯底、AlN成核層、高阻緩沖層、溝道層、AlN插入層、AlGaN勢壘層及GaN蓋帽層，所述高阻緩沖層包括依次層疊設置的AlNAlGaN超晶格層、AlGaN塊狀層、AlNGaN超晶格層以及GaN塊狀層，所述AlNAlGaN超晶格層設置在靠近所述AlN成核層一側；其中，所述AlNAlGaN超晶格層中的AlGaN子層和所述AlNGaN超晶格層中的GaN子層均摻雜有低濃度的Fe，且所述GaN子層的摻雜濃度高于所述AlGaN子層的摻雜濃度。與現有技術相比，本發明提出的外延片既能實現高阻又具有很高的晶體質量。

本發明授權一種外延片、外延片生長方法及高電子遷移率晶體管在權利要求書中公布了：1.一種外延片，其特征在于，包括依次層疊設置的Si襯底、AlN成核層、高阻緩沖層、溝道層、AlN插入層、AlGaN勢壘層及GaN蓋帽層，所述高阻緩沖層包括依次層疊設置的AlNAlGaN超晶格層、AlGaN塊狀層、AlNGaN超晶格層以及GaN塊狀層，所述AlNAlGaN超晶格層設置在靠近所述AlN成核層一側； 其中，所述AlNAlGaN超晶格層中的AlGaN子層和所述AlNGaN超晶格層中的GaN子層均摻雜有低濃度的Fe，且所述GaN子層的摻雜濃度高于所述AlGaN子層的摻雜濃度； 所述AlNAlGaN超晶格層中AlGaN中的Al組分為0.50~0.80，所述AlGaN子層的摻雜濃度為5*1016cm-3-5*1018cm-3，所述AlNGaN超晶格層中GaN子層的摻雜濃度為5*1016cm-3-5*1018cm-3； 所述AlGaN塊狀層中AlGaN的Al組分為0.20~0.50，所述AlGaN塊狀層和所述GaN塊狀層中均摻雜有高濃度的Fe，摻雜濃度為5*1019cm-3-5*1020cm-3。

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