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龍圖騰網(wǎng)獲悉意法半導體股份有限公司申請的專利具有優(yōu)化幾何結構以降低輻射效應引起的偏移的MEMS設備獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產(chǎn)權局授予，授權公告號為：CN111410167B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權局官網(wǎng)在2025-08-19發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202010015562.9，技術領域涉及：B81B5/00；該發(fā)明授權具有優(yōu)化幾何結構以降低輻射效應引起的偏移的MEMS設備是由F·里奇尼;A·托齊奧設計研發(fā)完成，并于2020-01-07向國家知識產(chǎn)權局提交的專利申請。

本具有優(yōu)化幾何結構以降低輻射效應引起的偏移的MEMS設備在說明書摘要公布了：本公開涉及具有優(yōu)化幾何結構以降低輻射效應引起的偏移的MEMS設備。具有蹺蹺板結構的MEMS設備包括可移動質量塊，可移動質量塊具有在平面中的面積、以及在垂直于該平面的方向上的厚度。可移動質量塊繞平行于該平面延伸的旋轉軸是可傾斜的，并且由被布置在旋轉軸的相對側的第一和第二半質量塊形成。第一和第二半質量塊分別具有第一和第二形心，該第一和第二形心被分別布置在距旋轉軸的第一距離b1和第二距離b2處。第一貫穿開口被形成在第一半質量塊中，并且連同第一半質量塊一起具有在平面中的第一總周長p1。第二貫穿開口被形成在第二半質量塊中，并且連同第二半質量塊一起具有在平面中的第二總周長p2，其中第一周長p1和第二周長p2滿足以下方程：p1×b1＝p2×b2。

本發(fā)明授權具有優(yōu)化幾何結構以降低輻射效應引起的偏移的MEMS設備在權利要求書中公布了：1.一種MEMS設備，包括： 可移動質量塊，所述可移動質量塊具有在平面中的面積、以及在垂直于所述平面的方向上的厚度，所述可移動質量塊繞平行于所述平面延伸的旋轉軸是可傾斜的，并且從而形成被布置在所述旋轉軸的相對側的第一質量塊部分和第二質量塊部分，所述第一質量塊部分和所述第二質量塊部分分別具有第一形心和第二形心，所述第一形心和所述第二形心分別被布置在距所述旋轉軸的第一距離b1和第二距離b2處； 在所述第一質量塊部分中的多個第一貫穿開口，其中所述多個第一貫穿開口和所述第一質量塊部分具有在所述平面中的第一總周長p1；以及 在所述第二質量塊部分中的多個第二貫穿開口，其中所述多個第二貫穿開口和所述第二質量塊部分具有在所述平面中的第二總周長p2， 其中所述第一總周長p1和所述第二總周長p2滿足方程： p1×b1＝p2×b2；以及 其中所述可移動質量塊具有均勻的厚度。

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