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龍圖騰網(wǎng)獲悉深圳市千屹芯科技有限公司申請的專利低關(guān)斷電流拖尾的超級結(jié)IGBT及其制作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114335143B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111638577.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)低關(guān)斷電流拖尾的超級結(jié)IGBT及其制作方法是由祁金偉設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本低關(guān)斷電流拖尾的超級結(jié)IGBT及其制作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種低關(guān)斷電流拖尾的超級結(jié)IGBT及其制作方法。所述超級結(jié)IGBT包括集電區(qū)、漂移區(qū)、外延層和阱區(qū)；漂移區(qū)內(nèi)分布有超級結(jié)結(jié)構(gòu)，超級結(jié)結(jié)構(gòu)包含柱狀結(jié)構(gòu)；阱區(qū)上部形成有發(fā)射極，外延層和阱區(qū)內(nèi)分布有柵極，每一發(fā)射極環(huán)繞相應(yīng)的一個柵極的上部電性隔離設(shè)置，每一柵極的下部進(jìn)入外延層；集電區(qū)下端與集電極電性結(jié)合；集電區(qū)、阱區(qū)、柱狀結(jié)構(gòu)均是第一導(dǎo)電類型的，漂移區(qū)、外延層、發(fā)射極均是第二導(dǎo)電類型的；柱狀結(jié)構(gòu)下端還與第二導(dǎo)電類型的高摻雜區(qū)電接觸，高摻雜區(qū)分布在漂移區(qū)內(nèi)且與集電區(qū)無接觸。本發(fā)明提供的超級結(jié)IGBT降低了關(guān)斷電流拖尾，進(jìn)而降低了關(guān)斷能量損耗。

本發(fā)明授權(quán)低關(guān)斷電流拖尾的超級結(jié)IGBT及其制作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種低關(guān)斷電流拖尾的超級結(jié)IGBT，包括從下向上依次設(shè)置的集電區(qū)、漂移區(qū)、外延層和阱區(qū)；所述漂移區(qū)內(nèi)分布有多個超級結(jié)結(jié)構(gòu)，所述超級結(jié)結(jié)構(gòu)包括柱狀結(jié)構(gòu)，所述柱狀結(jié)構(gòu)自漂移區(qū)上端向漂移區(qū)內(nèi)部延伸但與集電區(qū)無直接接觸；所述阱區(qū)上部形成有多個發(fā)射極，所述外延層和阱區(qū)內(nèi)分布有多個柵極，每一發(fā)射極環(huán)繞相應(yīng)的一個柵極的上部設(shè)置且與柵極電性隔離，每一柵極的下部進(jìn)入外延層但與漂移區(qū)無直接接觸；所述集電區(qū)下端與集電極電性結(jié)合；所述集電區(qū)、阱區(qū)、柱狀結(jié)構(gòu)均是第一導(dǎo)電類型的，所述漂移區(qū)、外延層、發(fā)射極均是第二導(dǎo)電類型的；其特征在于：所述柱狀結(jié)構(gòu)下端還與第二導(dǎo)電類型的高摻雜區(qū)電性接觸，所述高摻雜區(qū)分布在漂移區(qū)內(nèi)且與集電區(qū)無直接接觸。

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