中國科學(xué)院金屬研究所馬嵩獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院金屬研究所申請的專利一種EuIG/SnTe異質(zhì)結(jié)單晶外延薄膜及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114464729B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111524765.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N50/85；該發(fā)明授權(quán)一種EuIG/SnTe異質(zhì)結(jié)單晶外延薄膜及其制備方法是由馬嵩;張安琪;劉大珩;劉偉;張志東設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-12-14向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本一種EuIG/SnTe異質(zhì)結(jié)單晶外延薄膜及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及一種EuIGSnTe異質(zhì)結(jié)單晶外延薄膜及其制備方法，所述EuIGSnTe異質(zhì)結(jié)單晶外延薄膜的制備方法為：提供GGG基底，并將該GGG基底置于真空系統(tǒng)中；利用脈沖激光沉積生長一EuIG薄膜于該GGG基底表面；再利用分子束外延技術(shù)生長一SnTe薄膜于作為基底的EuIG薄膜表面。利用本發(fā)明方法可制備出高質(zhì)量的單晶外延鐵磁拓撲晶體絕緣體異質(zhì)結(jié)，可在5K時觀察到線性磁電阻效應(yīng)并伴隨霍爾效應(yīng)的雙載流子現(xiàn)象。
本發(fā)明授權(quán)一種EuIG/SnTe異質(zhì)結(jié)單晶外延薄膜及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種EuIGSnTe異質(zhì)結(jié)單晶外延薄膜，其特征在于：在GGG110基底表面生長EuIG110單晶外延薄膜，在該薄膜表面生長SnTe100單晶外延薄膜；所述EuIG單晶外延薄膜厚度為10-100nm，所述SnTe單晶外延薄膜厚度為5-30nm。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院金屬研究所，其通訊地址為：110015 遼寧省沈陽市沈河區(qū)文化路72號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結(jié)論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據(jù)或者憑證。
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