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龍圖騰網(wǎng)獲悉南京大學(xué);海安南京大學(xué)高新技術(shù)研究院申請(qǐng)的專利一種MOCVD連續(xù)式生長(zhǎng)硒化鎢薄膜的制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113808920B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111147441.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L21/02；該發(fā)明授權(quán)一種MOCVD連續(xù)式生長(zhǎng)硒化鎢薄膜的制備方法是由郝玉峰;張建裕設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-09-29向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種MOCVD連續(xù)式生長(zhǎng)硒化鎢薄膜的制備方法在說(shuō)明書摘要公布了：本發(fā)明公開(kāi)了一種MOCVD連續(xù)式生長(zhǎng)二維半導(dǎo)體硒化鎢WSe2薄膜的制備方法，其包括以下步驟：清洗c面藍(lán)寶石襯底；將清洗好的襯底放入MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)，對(duì)襯底進(jìn)行高溫預(yù)處理，而后以六羰基鎢WCO6和硒化氫H2Se為前驅(qū)體，通過(guò)MOCVD連續(xù)式生長(zhǎng)，在藍(lán)寶石上沉積WSe2薄膜；將生長(zhǎng)在藍(lán)寶石上的WSe2薄膜進(jìn)行退火處理后得到連續(xù)，大面積且結(jié)晶質(zhì)量高的成品。薄膜退火是在200℃~400℃的氫氣H2和氬氣Ar混合氣氛下保溫2~3小時(shí)進(jìn)行的，退火處理過(guò)程中升降溫速率為40~60℃h；優(yōu)點(diǎn)是前驅(qū)體均采用氣體源，避免了粉體的碳污染；經(jīng)過(guò)60min?100min后可得到連續(xù)、大面積、電學(xué)性能高、生長(zhǎng)可控的WSe2薄膜，在微電子領(lǐng)域有重要的應(yīng)用前景。

本發(fā)明授權(quán)一種MOCVD連續(xù)式生長(zhǎng)硒化鎢薄膜的制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種MOCVD連續(xù)式生長(zhǎng)二維半導(dǎo)體硒化鎢WSe2薄膜的制備方法，其特征在于包括以下步驟： 步驟一：清洗c面藍(lán)寶石襯底； 步驟二：將清洗好的襯底放入MOCVD反應(yīng)腔內(nèi)，對(duì)襯底進(jìn)行高溫預(yù)處理，而后以六羰基鎢WCO6和硒化氫H2Se為前驅(qū)體，通過(guò)MOCVD連續(xù)式生長(zhǎng)，在藍(lán)寶石上沉積WSe2薄膜； 步驟三：將生長(zhǎng)在藍(lán)寶石上的WSe2薄膜進(jìn)行退火處理后得到連續(xù)，大面積且結(jié)晶質(zhì)量高的成品；退火是在200℃~400℃的氫氣H2和氬氣Ar混合氣氛下保溫2~3小時(shí)進(jìn)行的，退火處理過(guò)程中升降溫速率為40~60℃小時(shí)。

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