新唐科技股份有限公司陳柏安獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉新唐科技股份有限公司申請的專利半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115132838B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111119390.0，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權半導體結構是由陳柏安設計研發完成，并于2021-09-24向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構在說明書摘要公布了：本申請實施例提供一種半導體結構，半導體結構包含：基板、通道層、阻障層、柵極電極、源極電極及漏極電極以及多個島狀結構，通道層設置于基板上。阻障層設置于通道層上，柵極電極設置于阻障層上，源極電極及漏極電極分別設置于柵極電極的相對側，且分別與阻障層接觸，多個島狀結構設置于柵極電極與漏極電極之間，且對應于多個島狀結構的在通道層的上表面上的二維電子氣為不連續。
本發明授權半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包含： 一基板； 一通道層，設置于所述基板上； 一阻障層，設置于所述通道層上； 一柵極電極，設置于所述阻障層上； 一源極電極及一漏極電極，分別設置于所述柵極電極的相對側，且分別與所述阻障層接觸；以及 多個島狀結構，設置于所述柵極電極與所述漏極電極之間，且對應于所述多個島狀結構的在所述通道層的上表面上的二維電子氣為不連續， 其中，以俯視圖觀察，所述多個島狀結構包括沿著平行于所述柵極電極的延伸方向排列的多個列島狀部分，所述多個列島狀部分包括多個第一部分、多個第二部分及多個第三部分； 其中，所述多個第一部分最鄰近于所述柵極電極；所述多個第三部分最遠離所述柵極電極；且所述多個第一部分、所述多個第二部分及所述多個第三部分交錯設置； 所述多個第一部分中的相鄰第一部分之間的一第一間距小于或等于所述多個第二部分中的相鄰第二部分之間的一第二間距；且所述第二間距小于或等于所述多個第三部分中的相鄰第三部分之間的一第三間距；或者， 所述多個第一部分中的一第一部分與最鄰近的所述多個第二部分中的一第二部分之間的距離小于或等于所述多個第二部分中的所述第二部分與最鄰近的所述多個第三部分中的一第三部分之間的距離。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人新唐科技股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹科學工業園區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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