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龍圖騰網(wǎng)獲悉新加坡商格羅方德半導(dǎo)體私人有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體裝置及其形成方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN119092531B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202411219778.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其形成方法是由B·W·文;J·M·具設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-08-24向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體裝置及其形成方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明揭示了一種半導(dǎo)體裝置及其形成方法，該半導(dǎo)體裝置可包括具有源極區(qū)域和漏極區(qū)域的基板，以及設(shè)置在該基板上方且位于該源極區(qū)域和該漏極區(qū)域之間的柵極。第一層間介電ILD層可以至少部分地設(shè)置在該基板和該柵極上方。導(dǎo)電場(chǎng)板可設(shè)置在該第一層間介電層上方。至少一個(gè)漏極觸點(diǎn)可延伸穿過該漏極區(qū)域上方的該第一層間介電層并可耦合到該導(dǎo)電場(chǎng)板。漏極捕獲結(jié)構(gòu)可設(shè)置在該第一層間介電層中且鄰近該漏極區(qū)域，該漏極捕獲結(jié)構(gòu)具有包含氣隙的溝槽，其中，該漏極捕獲結(jié)構(gòu)與該柵極的側(cè)壁橫向隔開。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體裝置及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體裝置，包括： 基板，其具有源極區(qū)域和漏極區(qū)域； 柵極，其設(shè)置在該基板上并位于該源極區(qū)域和該漏極區(qū)域之間； 第一層間介電（ILD）層，其至少部分地設(shè)置在該基板和該柵極上方； 導(dǎo)電場(chǎng)板，其設(shè)置在該第一層間介電層上方，其中，該導(dǎo)電場(chǎng)板包括由板開口隔開的第一板部分和第二板部分； 至少一個(gè)漏極觸點(diǎn)，其延伸穿過該漏極區(qū)域上方的該第一層間介電層并實(shí)體地耦合該導(dǎo)電場(chǎng)板； 漏極捕獲結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在該第一層間介電層中并部分地設(shè)置在該漏極區(qū)域上，該漏極捕獲結(jié)構(gòu)包括第一環(huán)形屏障和第二環(huán)形屏障，其中，該第一環(huán)形屏障和該第二環(huán)形屏障各自環(huán)繞該至少一個(gè)漏極觸點(diǎn)，且限定溝槽在該第一環(huán)形屏障和該第二環(huán)形屏障間，其中，該溝槽包括氣隙，且其中，該漏極捕獲結(jié)構(gòu)與該柵極的側(cè)壁橫向隔開； 其中，該第一板部分和該第二環(huán)形屏障重疊并直接接觸該第二環(huán)形屏障，且該第二板部分是連續(xù)板，其和該至少一個(gè)漏極觸點(diǎn)和該第一環(huán)形屏障重疊并直接接觸該至少一個(gè)漏極觸點(diǎn)和該第一環(huán)形屏障。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人新加坡商格羅方德半導(dǎo)體私人有限公司，其通訊地址為：新加坡,新加坡城；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。