環球晶圓股份有限公司施英汝獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉環球晶圓股份有限公司申請的專利接合用晶片結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113972134B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110780745.4，技術領域涉及：H01L21/18；該發明授權接合用晶片結構及其制造方法是由施英汝;吳偉立;羅宏章設計研發完成，并于2021-07-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本接合用晶片結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種接合用晶片結構及其制造方法，所述接合用晶片結構包括支撐基板、接合層以及碳化硅層。接合層形成在支撐基板的表面，碳化硅層接合在所述接合層上，其中碳化硅層的碳面與接合層直接接觸。所述碳化硅層的基面位錯BPD在1000eacm2～20000eacm2之間，所述碳化硅層的總厚度變異量TTV大于所述支撐基板的總厚度變異量，所述碳化硅層的直徑等于或小于所述支撐基板的直徑。所述接合用晶片結構的TTV小于10μm、彎曲度Bow小于30μm以及翹曲度Warp小于60μm。
本發明授權接合用晶片結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種接合用晶片結構，其特征在于，包括： 支撐基板； 接合層，形成在所述支撐基板的一表面；以及 碳化硅層，接合在所述接合層上，其中所述碳化硅層的碳面與所述接合層直接接觸，所述碳化硅層的基面位錯在1000eacm2～20000eacm2之間，所述碳化硅層的總厚度變異量大于所述支撐基板的總厚度變異量，所述碳化硅層的直徑等于或小于所述支撐基板的直徑，且 所述接合用晶片結構的總厚度變異量小于10μm、彎曲度小于30μm以及翹曲度小于60μm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人環球晶圓股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市科學工業園區工業東二路8號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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