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龍圖騰網(wǎng)獲悉泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司申請的專利一種具有埋層結(jié)構(gòu)的深層肖特基功率器件及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN113394292B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110613801.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D30/60；該發(fā)明授權(quán)一種具有埋層結(jié)構(gòu)的深層肖特基功率器件及其制備方法是由張瑜潔;施廣彥;劉剛;李志君;黃波設(shè)計研發(fā)完成，并于2021-06-02向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種具有埋層結(jié)構(gòu)的深層肖特基功率器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明提供了一種具有埋層結(jié)構(gòu)的深層肖特基功率器件及其制備方法，所述器件包括：襯底層；緩沖層設(shè)于所述襯底層上側(cè)面；至少一塊埋層，所述埋層設(shè)于所述緩沖層上側(cè)面，所述埋層寬度小于所述緩沖層寬度；漂移層設(shè)于所述緩沖層上側(cè)面，所述埋層設(shè)于所述緩沖層以及漂移層之間，所述漂移層上設(shè)有至少一個漂移凹槽；至少一塊絕緣型多晶硅層，所述絕緣型多晶硅層設(shè)于所述漂移凹槽內(nèi)，所述絕緣型多晶硅層設(shè)有一多晶硅凹槽；至少一塊肖特基接觸電極，所述肖特基接觸電極設(shè)于所述多晶硅凹槽內(nèi)；陽極設(shè)于所述漂移層上，且與所述絕緣型多晶硅層以及肖特基接觸電極連接；陰極連接至所述襯底層下側(cè)面；解決器件元胞面積過大的問題。

本發(fā)明授權(quán)一種具有埋層結(jié)構(gòu)的深層肖特基功率器件及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有埋層結(jié)構(gòu)的深層肖特基功率器件，其特征在于：包括： 一襯底層； 一緩沖層，所述緩沖層設(shè)于所述襯底層上側(cè)面； 至少一塊埋層，所述埋層設(shè)于所述緩沖層上側(cè)面，所述埋層寬度小于所述緩沖層寬度； 一漂移層，所述漂移層設(shè)于所述緩沖層上側(cè)面，所述埋層設(shè)于所述緩沖層以及漂移層之間，所述漂移層上設(shè)有至少一個漂移凹槽； 至少一塊絕緣型多晶硅層，所述絕緣型多晶硅層設(shè)于所述漂移凹槽內(nèi)，所述絕緣型多晶硅層設(shè)有一多晶硅凹槽； 至少一塊肖特基接觸電極，所述肖特基接觸電極設(shè)于所述多晶硅凹槽內(nèi)； 一陽極，所述陽極設(shè)于所述漂移層上，且與所述絕緣型多晶硅層以及肖特基接觸電極連接； 一陰極，所述陰極連接至所述襯底層下側(cè)面。

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