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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司申請的專利半導(dǎo)體器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114975575B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110191691.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/10；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件是由龔軼;劉磊;劉偉;袁愿林設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-02-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件，包括：半導(dǎo)體襯底；位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的p型體區(qū)，所述p型體區(qū)與源極金屬層接觸；位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)且位于所述p型體區(qū)下方的p型柱；所述半導(dǎo)體襯底包括至少一個第一區(qū)域，所述第一區(qū)域外的區(qū)域?yàn)榈诙^(qū)域；所述第一區(qū)域內(nèi)的所述p型體區(qū)內(nèi)設(shè)有第一p型體區(qū)接觸區(qū)，所述源極金屬層與所述第一p型體區(qū)接觸區(qū)接觸并形成歐姆接觸；所述第二區(qū)域內(nèi)的所述p型體區(qū)與所述源極金屬層未形成歐姆接觸。本發(fā)明可以改善半導(dǎo)體器件在應(yīng)用時產(chǎn)生的電壓震蕩、電流震蕩和EMI問題。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件在權(quán)利要求書中公布了：1.半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括： 半導(dǎo)體襯底； 位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的p型體區(qū)，所述p型體區(qū)與源極金屬層接觸； 位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)且位于所述p型體區(qū)下方的p型柱； 所述半導(dǎo)體襯底包括至少一個第一區(qū)域，所述第一區(qū)域外的區(qū)域?yàn)榈诙^(qū)域； 所述第一區(qū)域內(nèi)的所述p型體區(qū)內(nèi)設(shè)有第一p型體區(qū)接觸區(qū)，所述源極金屬層與所述第一p型體區(qū)接觸區(qū)接觸并形成歐姆接觸； 所述第二區(qū)域內(nèi)的所述p型體區(qū)與所述源極金屬層未形成歐姆接觸； 所述半導(dǎo)體器件還包括位于所述p型體區(qū)內(nèi)的n型源區(qū)，所述n型源區(qū)與所述源極金屬層接觸。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司，其通訊地址為：215123 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)20棟405-406；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。