索泰克公司L·維拉沃克斯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉索泰克公司申請的專利蝕刻包括薄表面層的基板以改善所述層的厚度均勻性的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114830302B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080086896.3，技術領域涉及：H01L21/306；該發明授權蝕刻包括薄表面層的基板以改善所述層的厚度均勻性的方法是由L·維拉沃克斯;S·卡頓;O·羅斯設計研發完成，并于2020-11-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本蝕刻包括薄表面層的基板以改善所述層的厚度均勻性的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種對基板的薄層的主表面進行蝕刻的方法，該方法包括：將基板浸入蝕刻槽中，以便將主表面暴露于蝕刻劑，基板按照如下方式相對于槽定向，以補償薄層的厚度非均勻性：?當基板被引入到槽中時，主表面按照引入速度從初始引入點逐漸浸入到最終引入點，并且?當基板從槽退出時，主表面按照退出速度從初始退出點逐漸顯現到最終退出點，該方法的特征在于：?按照根據初始引入點與最終引入點之間的第一非均勻剖面蝕刻主表面的方式來選擇引入速度，和或?按照根據初始退出點與最終退出點之間的第二非均勻剖面蝕刻主表面的方式來選擇退出速度。
本發明授權蝕刻包括薄表面層的基板以改善所述層的厚度均勻性的方法在權利要求書中公布了：1.一種對包括表面薄層11的基板1的主表面1a進行蝕刻的蝕刻方法，所述主表面1a對應于所述表面薄層11的自由面，所述蝕刻方法包括以下步驟：將所述基板1浸入蝕刻槽100中，以便將所述主表面1a暴露于蝕刻劑，所述基板1按照如下方式相對于所述蝕刻槽100定向，以補償所述表面薄層11的厚度的非均勻性： -當所述基板1被引入I到所述蝕刻槽100中時，所述主表面1a按照引入速度從初始引入點PII逐漸浸入到最終引入點PFI，并且 -當所述基板1從所述蝕刻槽100移除S時，所述主表面1a按照移除速度從初始移除點PIS逐漸顯現到最終移除點PFS， 所述蝕刻方法的特征在于： -按照根據所述初始引入點PII與所述最終引入點PFI之間的第一非均勻剖面蝕刻所述主表面1a的方式來選擇所述引入速度，和或 -按照根據所述初始移除點PIS與所述最終移除點PFS之間的第二非均勻剖面蝕刻所述主表面1a的方式來選擇所述移除速度， 其中，所述引入速度和或所述移除速度在25cms至0.1cms之間。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人索泰克公司，其通訊地址為：法國伯爾寧；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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