戴森技術有限公司M.倫達爾獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉戴森技術有限公司申請的專利用于濺射沉積的方法和設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114930489B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080090605.8，技術領域涉及：H01J37/32；該發明授權用于濺射沉積的方法和設備是由M.倫達爾設計研發完成，并于2020-11-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本用于濺射沉積的方法和設備在說明書摘要公布了：公開了用于將靶材料108濺射沉積到基底116的設備100。在一種形式中，該設備包括基底引導件118和靶部分106，該基底引導件布置成沿著彎曲路徑C引導基底，該靶部分與基底引導件間隔開并且布置成支撐靶材料。靶部分和基底引導件在其之間限定了沉積區114。設備包括用于向靶材料施加電偏置的偏置器件122。該設備還包括限制裝置104，其包括一個或多個磁性元件104a,104b，其布置成提供限制磁場以將等離子體112限制到所述沉積區，從而在使用中提供所述靶材料到所述基底的卷材的濺射沉積，所述限制磁場的特征在于磁場線布置成至少在所述沉積區中基本上遵循彎曲路徑的曲線以便將所述等離子體限制成圍繞彎曲路徑的所述曲線。
本發明授權用于濺射沉積的方法和設備在權利要求書中公布了：1.一種濺射沉積設備，其包括： 基底引導件，其布置為沿著彎曲路徑引導基底； 靶組件，包括： 靶部分，其與所述基底引導件間隔開并且布置成支撐靶材料，所述靶部分和所述基底引導件在其二者之間限定沉積區；以及 偏置器件，其用于向所述靶材料施加電偏置；以及 限制裝置，其包括一個或多個磁性元件，所述一個或多個磁性元件布置成提供限制磁場以將等離子體限制在所述沉積區中，從而在使用中提供所述靶材料到所述基底的濺射沉積，所述限制磁場的特征在于磁場線布置成，至少在所述沉積區中，基本上遵循彎曲路徑的曲線以便將所述等離子體限制成圍繞彎曲路徑的所述曲線， 所述設備還包括等離子體生成裝置，所述等離子體生成裝置配置成生成等離子體， 所述偏置器件配置成以第一功率值將所述電偏置施加到所述靶材料，并且所述等離子體生成裝置配置成以第二功率值生成所述等離子體，使得所述第二功率值與所述第一功率值的比率大于1。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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