買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監(jiān)控用IP管家,真方便！

龍圖騰網(wǎng)獲悉新加坡商格羅方德半導體私人有限公司申請的專利半導體裝置及其形成方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN112750812B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202011056092.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D89/60；該發(fā)明授權(quán)半導體裝置及其形成方法是由曾杰;R·庫馬爾設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-09-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導體裝置及其形成方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導體裝置及其形成方法，其中，一種半導體裝置，包括基板；集電極，具有設(shè)置在基板內(nèi)的掩埋層，位于該掩埋層的第一部分上方的第一阱區(qū)，以及至少部分地設(shè)置在該第一阱區(qū)內(nèi)的第一導電區(qū)；基極，具有位于掩埋層的第二部分上方并橫向鄰接該第一阱區(qū)的第二阱區(qū)以及至少部分地設(shè)置在第二阱區(qū)內(nèi)的第二導電區(qū)；發(fā)射極，具有至少部分地設(shè)置在該第二導電區(qū)內(nèi)的第三導電區(qū)；隔離元件，位于該第一導電區(qū)和該第三導電區(qū)之間；導電板，位于該隔離元件上并電性連接該第一導電區(qū)。該掩埋層、該第一阱區(qū)、該第一導電區(qū)和該第三導電區(qū)具有第一導電類型；該第二阱區(qū)和該第二導電區(qū)具有第二導電類型。

本發(fā)明授權(quán)半導體裝置及其形成方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，包括： 基板； 集電極區(qū)，設(shè)置在該基板內(nèi)，其中，該集電極區(qū)包括設(shè)置在該基板內(nèi)的掩埋層、設(shè)置在該掩埋層的第一部分上方的第一阱區(qū)、以及至少部分地設(shè)置在該第一阱區(qū)內(nèi)的第一導電區(qū)； 基極區(qū)，設(shè)置在該掩埋層的第二部分上方，其中，該基極區(qū)包括設(shè)置在該掩埋層的該第二部分上方的第二阱區(qū)和至少部分地設(shè)置在該第二阱區(qū)內(nèi)的第二導電區(qū)，其中，該第一阱區(qū)橫向鄰接該第二阱區(qū)，且其中，該基極區(qū)被配置為浮動，且在該基極區(qū)中沒有形成接觸墊； 發(fā)射極區(qū)，包括至少部分地設(shè)置在該第二導電區(qū)內(nèi)的第三導電區(qū)； 隔離元件，設(shè)置橫向在該集電極區(qū)的該第一導電區(qū)和該發(fā)射極區(qū)的該第三導電區(qū)之間；以及 導電板，設(shè)置在該隔離元件上，其中，該導電板電性連接該第一導電區(qū)； 其中，該掩埋層、該第一阱區(qū)、該第一導電區(qū)和該第三導電區(qū)具有第一導電類型；且其中，該第二阱區(qū)和該第二導電區(qū)具有不同于該第一導電類型的第二導電類型。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人新加坡商格羅方德半導體私人有限公司，其通訊地址為：新加坡，新加坡城；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。