三菱瓦斯化學株式會社岡庭正志獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三菱瓦斯化學株式會社申請的專利薄膜、層疊體、帶薄膜層的半導體晶圓、帶薄膜層的半導體搭載用基板和半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114026682B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202080047344.1，技術領域涉及：H01L23/24；該發明授權薄膜、層疊體、帶薄膜層的半導體晶圓、帶薄膜層的半導體搭載用基板和半導體裝置是由岡庭正志;東口鉱平;關戶隆人;高野健太郎;木田剛設計研發完成，并于2020-06-26向國家知識產權局提交的專利申請。
本薄膜、層疊體、帶薄膜層的半導體晶圓、帶薄膜層的半導體搭載用基板和半導體裝置在說明書摘要公布了：本發明提供一種薄膜，其包含：含有選自由馬來酰亞胺化合物和檸康酰亞胺化合物組成的組中的至少1種的化合物A；含有選自由特定式所示的有機過氧化物組成的組中的至少1種的有機過氧化物B；和，氫過氧化物C。
本發明授權薄膜、層疊體、帶薄膜層的半導體晶圓、帶薄膜層的半導體搭載用基板和半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種薄膜，其包含： 含有選自由馬來酰亞胺化合物和檸康酰亞胺化合物組成的組中的至少1種的化合物A； 含有選自由下述式1和下述式2所示的有機過氧化物組成的組中的至少1種的有機過氧化物B；和， 氫過氧化物C， 式1中，R1各自獨立地表示氫原子、甲基、或乙基， 式2中，R2各自獨立地表示氫原子、甲基、或乙基，X1表示下述式3或4所示的基團， 式3中，R3表示氫原子、甲基、或乙基，R4表示碳數1以上且3以下的亞烷基，R5表示氫原子或碳數1以上且6以下的烷基， 式4中，R6各自獨立地表示氫原子、甲基、或乙基，X2表示下述通式a～c所示的基團， 式c中，n1表示1以上且5以下的整數， 所述薄膜用于預施底充膠材料。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三菱瓦斯化學株式會社，其通訊地址為：日本東京都；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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