北京元芯碳基集成電路研究院;北京大學;北京華碳元芯電子科技有限責任公司徐琳獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉北京元芯碳基集成電路研究院;北京大學;北京華碳元芯電子科技有限責任公司申請的專利一種窄帶隙半導體晶體管及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113764586B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010495375.5，技術領域涉及：H10K85/20；該發明授權一種窄帶隙半導體晶體管及其制備方法是由徐琳;張志勇;彭練矛設計研發完成，并于2020-06-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種窄帶隙半導體晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種具有高κ或異質埋氧層的窄帶隙半導體晶體管及其制備方法，該晶體管具有一襯底，其上具有一高κ或異質埋氧層，該高κ或異質埋氧層上具有一窄帶隙半導體溝道層以及柵結構，該柵結構包括兩側墻以及位于其中的柵極，在柵結構兩側具有源極和漏極。本發明的晶體管實現優化半導體晶體管，尤其是窄帶隙半導體晶體管能帶分布的器件結構，通過調控漏端的能帶，從而能夠抑制關態電流和靜態能耗，并且能夠與產業化半導體工藝相兼容，能夠實現大規模集成化制備。
本發明授權一種窄帶隙半導體晶體管及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種短溝道窄帶隙半導體晶體管，包括一襯底，其特征在于，在所述襯底上具有一異質埋氧層，所述異質埋氧層具有寬度為L1的低κ埋氧層和寬度為L2的高κ埋氧層，其中L1L2； 在所述低κ埋氧層和所述高κ埋氧層上具有一窄帶隙半導體溝道層，在所述窄帶隙半導體溝道層上具有一柵結構，所述柵結構包括兩側墻以及位于所述側墻之間的柵介質層和柵極，在所述柵結構兩側具有源極和漏極，所述漏極位于所述高κ埋氧層一側； 所述窄帶隙半導體溝道層寬度大于等于所述柵結構寬度，所述源極和漏極與所述窄帶隙半導體溝道層側面接觸或者覆蓋所述窄帶隙半導體溝道層的超出部分形成源漏極接觸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京元芯碳基集成電路研究院;北京大學;北京華碳元芯電子科技有限責任公司，其通訊地址為：100195 北京市海淀區杏石口路80號益園B1棟；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號