三星電子株式會社秦正起獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利半導體裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110854024B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910736542.8，技術領域涉及：H01L21/48；該發明授權半導體裝置及其制造方法是由秦正起;崔朱逸;鄭泰和;藤崎純史設計研發完成，并于2019-08-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：公開了半導體裝置及其制造方法。該方法包括：提供半導體襯底；在半導體襯底的頂表面上形成再分布線；和形成鈍化層以覆蓋半導體襯底的頂表面上的再分布線。形成再分布線包括：在半導體襯底的頂表面上形成再分布線的第一區段的第一階段，以及在再分布線的第一區段上形成再分布線的第二區段的第二階段。再分布線的第二區段的平均晶粒尺寸小于再分布線的第一區段的平均晶粒尺寸。
本發明授權半導體裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括： 提供半導體襯底； 在所述半導體襯底的頂表面上形成再分布線；以及 形成鈍化層以覆蓋所述半導體襯底的所述頂表面上的所述再分布線， 其中形成所述再分布線包括： 第一階段，在所述半導體襯底的所述頂表面上形成所述再分布線的第一區段， 第二階段，在所述再分布線的所述第一區段上形成所述再分布線的第二區段，以及 第三階段，在執行所述第一階段之前在所述半導體襯底的所述頂表面上形成所述再分布線的第三區段，使得執行所述第一階段在所述第三區段上形成所述第一區段， 其中，所述再分布線的所述第二區段的平均晶粒尺寸小于所述再分布線的所述第一區段的平均晶粒尺寸，并且 其中，所述再分布線的所述第三區段的平均晶粒尺寸小于所述再分布線的所述第一區段的所述平均晶粒尺寸。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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