東芝存儲器株式會社野島和弘獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東芝存儲器株式會社申請的專利半導體存儲裝置及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN110931493B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-12發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201910093744.5，技術領域涉及：H10B41/42；該發明授權半導體存儲裝置及其制造方法是由野島和弘;清水公志郎設計研發完成，并于2019-01-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體存儲裝置及其制造方法在說明書摘要公布了：實施方式提供一種能夠提高動作可靠性的半導體存儲裝置及其制造方法。實施方式的半導體存儲裝置具備：邏輯電路，設置在襯底上；第1區域，設置在邏輯電路上，且在第1方向交替積層有多個第1絕緣層33與多個導電層35_0～35_7、36；多個存儲柱MP，在第1區域中在第1方向延伸；第2區域，設置在邏輯電路上，且在第1方向交替積層有多個第1絕緣層33與多個第2絕緣層50；以及接觸插塞CP1，在第2區域中在第1方向延伸，且連接于邏輯電路。
本發明授權半導體存儲裝置及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體存儲裝置，具備： 邏輯電路，設置在襯底上； 第1區域，設置在所述邏輯電路上，且在第1方向交替積層有多個第1絕緣層與多個導電層； 多個存儲柱，在所述第1區域中在所述第1方向延伸； 第2區域，設置在所述邏輯電路上，且在所述第1方向交替積層有所述多個第1絕緣層與多個第2絕緣層； 接觸插塞，在所述第2區域中在所述第1方向延伸，且連接于所述邏輯電路； 第1分離區域，包圍所述第2區域且在所述第1方向延伸；以及 第2分離區域，設置在所述第1區域，在所述第1方向及與所述第1方向交叉的第2方向延伸且將所述導電層分離；且 所述第1分離區域的上表面低于所述第2分離區域的上表面。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人東芝存儲器株式會社，其通訊地址為：日本東京；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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