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龍圖騰網(wǎng)獲悉蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)的專利半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件封裝獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115566116B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-12發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202211245094.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10H20/81；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件封裝是由崔洛俊;金炳祚;吳炫智;丁星好設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2017-09-13向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件封裝在說明書摘要公布了：本申請(qǐng)實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體器件和包括其的半導(dǎo)體器件封裝，該半導(dǎo)體器件包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層，有源層設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層之間；第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層具有范圍為1：1.25至1：100的第二最短距離W2與第一最短距離W1的比率，第二最短距離W2是從第一表面到第二點(diǎn)的距離，第一最短距離W1是從第一表面到第一點(diǎn)的距離；第一表面為第二半導(dǎo)體層的遠(yuǎn)離有源層的表面；第一點(diǎn)是第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的鋁成分與有源層的最靠近第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的阱層的鋁成分相同的點(diǎn)；并且第二點(diǎn)是第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層具有與鋁成分相同的摻雜劑成分的點(diǎn)。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體器件和包括該半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體器件封裝在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體器件，包括： 發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括： 含鋁的第一半導(dǎo)體層； 含鋁的第二半導(dǎo)體層；以及 含鋁并且設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間的有源層； 其中當(dāng)初級(jí)離子轟擊所述發(fā)光結(jié)構(gòu)而從所述第一半導(dǎo)體層、所述有源層以及所述第二半導(dǎo)體層濺射出包含鋁的二次離子時(shí)，沿著所述第一半導(dǎo)體層、所述有源層以及所述第二半導(dǎo)體層的厚度方向產(chǎn)生相應(yīng)強(qiáng)度的包含鋁的二次離子； 第一強(qiáng)度位置，在所述第二半導(dǎo)體層中展示最大強(qiáng)度，其強(qiáng)度為第一強(qiáng)度； 第三強(qiáng)度位置，在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的整個(gè)區(qū)域中展示最小強(qiáng)度，其強(qiáng)度為第三強(qiáng)度； 第四強(qiáng)度位置，在所述第一半導(dǎo)體層中展示最小強(qiáng)度，其強(qiáng)度為第四強(qiáng)度； 第二強(qiáng)度位置，位于與所述第一強(qiáng)度分開的位置處，且為在所述第一強(qiáng)度與所述第四強(qiáng)度之間的區(qū)域中的最大峰值強(qiáng)度的位置，其強(qiáng)度為第二強(qiáng)度； 第十強(qiáng)度位置，位于所述第一強(qiáng)度位置和所述第三強(qiáng)度位置之間，其強(qiáng)度為第十強(qiáng)度，且所述第十強(qiáng)度的大小與在所述第一強(qiáng)度位置與所述第二強(qiáng)度位置之間的區(qū)域中的最小的離子強(qiáng)度的大小相同； 其中，所述第十強(qiáng)度位置和所述第三強(qiáng)度位置之間的區(qū)域具有反向部分； 其中，在所述第十強(qiáng)度位置和所述第三強(qiáng)度位置之間的區(qū)域中，包含鋁的二次離子的強(qiáng)度整體上沿從所述第十強(qiáng)度位置至所述第三強(qiáng)度位置的方向減小；在所述反向部分，包含鋁的二次離子的強(qiáng)度沿從所述第十強(qiáng)度位置至所述第三強(qiáng)度位置的方向增加或保持不變。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司，其通訊地址為：215499 江蘇省蘇州市太倉市常勝北路168號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。