合肥晶合集成電路股份有限公司黃爽獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體結構、半導體器件及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120343962B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510831476.8，技術領域涉及：H10D64/01；該發明授權半導體結構、半導體器件及制備方法是由黃爽;楊杰;李陽陽;王瑞;高志杰設計研發完成，并于2025-06-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構、半導體器件及制備方法在說明書摘要公布了：本發明提供了一種半導體結構、半導體器件及制備方法。包括：提供襯底，并根據襯底制作功能層；在功能層表面制作虛柵；制作源極和漏極；虛柵包括第一、第二虛柵，第一虛柵的水平截面尺寸大于第二虛柵；在第一、第二虛柵上形成刻蝕停止層；制作層間介質層；對層間介質層執行第一化學機械研磨，露出刻蝕停止層；對刻蝕停止層執行第二化學機械研磨，露出第二虛柵；對第二虛柵執行選擇性外延，在第二虛柵上形成補償層；對補償層和第一虛柵表面的刻蝕停止層執行第三化學機械研磨，使得補償層和第一虛柵上的刻蝕停止層被同時去掉，露出第一、第二虛柵。采用該半導體結構的制備方法制備得到第一、第二虛柵周圍的層間介質層、刻蝕停止層的厚度相近。
本發明授權半導體結構、半導體器件及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制備方法，其特征在于，所述半導體結構的制備方法包括： 提供襯底，并根據襯底制作功能層； 在功能層表面制作虛柵；其中，所述虛柵包括第一虛柵和第二虛柵，所述第一虛柵的水平截面尺寸大于所述第二虛柵的水平截面尺寸； 在功能層中制作源極和漏極； 在所述第一虛柵和所述第二虛柵上形成刻蝕停止層； 制作層間介質層； 對所述層間介質層執行第一化學機械研磨，露出刻蝕停止層； 對所述刻蝕停止層執行第二化學機械研磨，露出第二虛柵； 對所述第二虛柵執行選擇性外延，在所述第二虛柵上形成補償層； 對所述補償層和所述第一虛柵表面的刻蝕停止層執行第三化學機械研磨，使得補償層和第一虛柵上的刻蝕停止層被同時去掉，露出第一虛柵和第二虛柵。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號