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龍圖騰網獲悉西安電子科技大學;上海航天計算機技術研究所申請的專利一種高密度RRAM稀疏數字存內計算方法及電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120255849B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510740590.X，技術領域涉及：G06F7/575；該發明授權一種高密度RRAM稀疏數字存內計算方法及電路是由黃宇軒;劉奎;程利甫;尤偉設計研發完成，并于2025-06-05向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種高密度RRAM稀疏數字存內計算方法及電路在說明書摘要公布了：本發明公開了一種高密度RRAM稀疏數字存內計算方法及電路，涉及集成電路設計領域，包括：多個RRAM存內計算單元，RRAM存內計算單元配置為通過阻值狀態存儲數據，進行數字計算，得到輸出結果；多個數字邏輯單元，數字邏輯單元與RRAM存內計算單元電連接，數字邏輯單元配置為對輸出結果進行乘累加，得到乘累加結果；外圍電路單元，外圍電路單元與RRAM存內計算單元電連接，外圍電路單元包括讀通路和寫通路，配置為對RRAM存內計算單元的阻值狀態同時讀寫；其中，一列RRAM存內計算單元對應設置一個外圍電路單元。本發明能夠顯著提高數據讀寫效率。

本發明授權一種高密度RRAM稀疏數字存內計算方法及電路在權利要求書中公布了：1.一種高密度RRAM稀疏數字存內計算電路，其特征在于，包括： 陣列排布的多個RRAM存內計算單元，所述RRAM存內計算單元配置為通過阻值狀態存儲數據，進行數字計算，得到輸出結果； 陣列排布的多個數字邏輯單元，所述數字邏輯單元與所述RRAM存內計算單元電連接，所述數字邏輯單元配置為對所述輸出結果進行乘累加，得到乘累加結果；其中，同一列RRAM存內計算單元中的多個所述RRAM存內計算單元對應設置一個所述數字邏輯單元； 外圍電路單元，所述外圍電路單元與所述RRAM存內計算單元電連接，所述外圍電路單元包括讀通路和寫通路，配置為對所述RRAM存內計算單元的阻值狀態同時讀寫；其中，一列RRAM存內計算單元對應設置一個所述外圍電路單元； 所述RRAM存內計算單元包括NMOS晶體管、第一RRAM和緩沖器；其中，所述NMOS晶體管的柵極與字線WL電連接，所述NMOS晶體管的漏極與所述外圍電路單元電連接，所述NMOS晶體管的源極與第一節點電連接，所述第一RRAM的第一端與所述第一節點電連接，所述第一RRAM的第二端與位線BL電連接，所述緩沖器的輸入端與所述第一節點電連接，所述緩沖器的輸出端與所述數字邏輯單元電連接； 所述外圍電路單元包括單刀雙擲開關、第二RRAM和運算放大器；其中，當所述單刀雙擲開關的公共端與第一端導通時，對所述RRAM存內計算單元的阻值狀態進行寫操作；當所述單刀雙擲開關的公共端與第二端導通時，所述單刀雙擲開關的第二端與第二節點電連接，所述第二RRAM的第一端與所述第二節點電連接，所述第二RRAM的第二端與所述運算放大器的輸出端電連接，所述運算放大器的一個輸入端與所述第二節點連接，所述運算放大器的另一個輸入端接收Vclp電壓信號，對所述RRAM存內計算單元的阻值狀態進行讀操作。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西安電子科技大學;上海航天計算機技術研究所，其通訊地址為：710071 陜西省西安市雁塔區太白南路2號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。