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龍圖騰網獲悉深圳市安邦信電子有限公司申請的專利低壓電驅計算功率的MOS管輸出電流電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111371339B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010269293.9，技術領域涉及：H02M7/537；該發明授權低壓電驅計算功率的MOS管輸出電流電路是由陳鵬程;李勇設計研發完成，并于2020-04-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本低壓電驅計算功率的MOS管輸出電流電路在說明書摘要公布了：本發明公開了低壓電驅計算功率的MOS管輸出電流電路，包括第一電平信號輸入端，第一驅動模塊，第一開關模塊，第二電平信號輸入端，第二驅動模塊，第二開關模塊，高電壓阻斷模塊，第一輸出端，及第二輸出端。本發明使得輸出至MCU的電壓信號隨著逆變輸出信號的增大而增大，根據MOS管與輸出電流的關系，MCU通過輸出至MCU的電壓信號，可計算出此時的輸出電流，同時可控制PWM輸出高低電平，保護MOS管因過電流損壞，省掉了電壓型電流傳感器或采用分流器，節約了設計空間，還降低了成本。

本發明授權低壓電驅計算功率的MOS管輸出電流電路在權利要求書中公布了：1.低壓電驅計算功率的MOS管輸出電流電路，其特征在于，包括第一電平信號輸入端，第一驅動模塊，第一開關模塊，第二電平信號輸入端，第二驅動模塊，第二開關模塊，高電壓阻斷模塊，第一輸出端，及第二輸出端；所述第一電平信號輸入端與第一驅動模塊，及高電壓阻斷模塊連接，所述第一開關模塊與第一驅動模塊連接，所述第二電平信號輸入端與第二驅動模塊連接，所述第二開關模塊與第二驅動模塊連接，所述第一輸出端和高電壓阻斷模塊均與第一開關模塊，及第二開關模塊連接，所述第二輸出端與高電壓阻斷模塊連接；所述第一驅動模塊包括電壓輸入端，電容C1，電容C2，二極管D1，電容C3，電容C4，電容C5，電阻R1，電阻R2，電阻R3，電阻R4，電阻R5，電阻R6，電阻R7，電阻R8，三極管Q1，三極管Q2，三極管Q3，及三極管Q4；所述電容C1的1腳，電容C2的1腳，及二極管D1的陽極均與電壓輸入端連接，電容C1的2腳和電容C2的2腳接地，二極管D1的陰極與電容C3的1腳，電阻R3的2腳，電阻R4的1腳，三極管Q1的集電極，及三極管Q3的發射極連接，電容C3的2腳和電阻R3的1腳接地；電阻R4的2腳和三極管Q3的基極均與所述第一電平信號輸入端連接，三極管Q3的集電極與三極管Q1的基極，電阻R8的2腳，及三極管Q4的基極連接，電阻R8的1腳和三極管Q4的集電極接地；三極管Q1的發射極與電阻R1是2腳連接，電阻R1的1腳與電阻R5的2腳，三極管Q2的發射極，電容C4的2腳，電阻R6的2腳，及電阻R2的1腳連接，三極管Q4的發射極與電阻R5的1腳，及三極管Q2的基極連接；三極管Q2的集電極，電容C4的1腳，及電阻R6的1腳均接地；電阻R2的2腳與電阻R7的1腳，及第一開關模塊連接，電阻R7的2腳與電容C5的1腳連接，電容C5的2腳接地；所述二極管D1的型號為BAV21W；所述第一開關模塊為絕緣柵雙極型晶體管M1，所述絕緣柵雙極型晶體管M1的柵極與電阻R2的2腳，及電阻R7的1腳連接，絕緣柵雙極型晶體管M1的發射極與電池的正極連接，絕緣柵雙極型晶體管M1的集電極與所述第二開關模塊，高電壓阻斷模塊，及第一輸出端連接。

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