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龍圖騰網獲悉中國科學院化學研究所申請的專利一種含硅聚合物在納米溝槽結構填充中的應用及含硅聚合物與制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120230292B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510712504.4，技術領域涉及：C08G77/26；該發明授權一種含硅聚合物在納米溝槽結構填充中的應用及含硅聚合物與制備方法是由李鵬飛;張宗波;徐彩虹設計研發完成，并于2025-05-30向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種含硅聚合物在納米溝槽結構填充中的應用及含硅聚合物與制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種含硅聚合物在納米溝槽結構填充中的應用及含硅聚合物與制備方法，屬于含硅聚合物技術領域，用以解決現有含硅聚合物溶液進行納米溝槽結構填充時，填充能力差，在形成SiO2的過程中，收縮率和應力高，致密化差，填充缺陷多等問題。一種含硅聚合物在納米溝槽結構填充中的應用，所述的含硅聚合物的分子式為SixNyHzOwCv，所述的含硅聚合物的單位不飽和度為α1000，且3≤α1000≤8，。本發明的用于納米溝槽結構填充的含硅聚合物通過篩選特定單位不飽和度的含硅聚合物，在形成SiO2的過程中，具有低收縮率、低應力，對納米溝槽結構的致密化、無缺陷填充。

本發明授權一種含硅聚合物在納米溝槽結構填充中的應用及含硅聚合物與制備方法在權利要求書中公布了：1.一種含硅聚合物在納米溝槽結構填充中的應用，其特征在于，所述的含硅聚合物的分子式為，所述的含硅聚合物的單位不飽和度為，且，； 其中，x為Si的總原子數量，y為N原子的數量，z為H原子的數量，w為O原子的數量，v為C原子的數量，Mn為所述的含硅聚合物的數均分子量； 所述的含硅聚合物的數均分子量Mn為800~20000gmol，重均分子量Mw為1000~50000gmol，分子量分布PDI為2~8； 所述的含硅聚合物的特征結構單元滿足以下關系式： ； 其中，SiH3代表所述的含硅聚合物在核磁共振氫譜中SiH3對應特征峰的積分面積，峰位置在4.34ppm； NHx代表所述的含硅聚合物在核磁共振氫譜中N-H、NH2基團對應的積分面積，積分區間為1.0~2.0ppm； N代表所述的含硅聚合物中三個鍵都與Si原子連接的N原子數量，NHn代表含硅聚合物的N上含有H原子的N原子數量。

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