賽米微爾半導體(上海)有限公司汪立勇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉賽米微爾半導體(上海)有限公司申請的專利一種用于二極管的表面加工工藝獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120116031B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510496936.6，技術領域涉及：B24B1/00；該發明授權一種用于二極管的表面加工工藝是由汪立勇;涂曉;黃建新設計研發完成，并于2025-04-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種用于二極管的表面加工工藝在說明書摘要公布了：本發明涉及二極管技術領域，尤其涉及一種用于二極管的表面加工工藝，對多個二極管進行預處理形成待拋光組，通過檢測表面粗糙度動態調整拋光下壓力；采用等離子清洗拋光后的二極管組，結合光學照射評估表面清潔度，對清潔二極管組二次檢測表面粗糙度，篩選符合鈍化標準的批次；實施鈍化處理時，同步監測鈍化層裂紋面積和裂紋寬度，根據實際裂紋評價值調節鈍化等離子體功率。本工藝通過閉環調控：拋光階段動態匹配表面狀態的壓力控制，清洗階段優化清洗等離子體功率與極間距的協同作用，本發明通過調節拋光下壓力、清潔等離子體功率和清潔間距保證待鈍化二極管清潔度以及通過調整鈍化等離子體功率保證鈍化層厚度符合鈍化需求。
本發明授權一種用于二極管的表面加工工藝在權利要求書中公布了：1.一種用于二極管的表面加工工藝，其特征在于，包括以下步驟， 對若干二極管進行預處理，得到待拋光二極管組，檢測所述待拋光二極管組的預處理表面粗糙度，根據所述預處理表面粗糙度確定一次拋光下壓力，檢測拋光后的二極管組的粗糙度得到第一粗糙度； 將拋光后的二極管組進行等離子清洗，得到清潔二極管組，利用光學照射檢測所述清潔二極管組的表面清潔度，以判定所述表面清潔度是否滿足加工需求； 檢測滿足清潔度需求的二極管組的粗糙度得到第二粗糙度，根據所述第一粗糙度和所述第二粗糙度得到相對附著力，基于相對附著力與標準附著力的對比結果確定待鈍化二極管是否滿足鈍化需求； 對滿足鈍化需求的二極管進行鈍化處理，得到實際鈍化層，檢測所述實際鈍化層裂紋形態參數以判斷是否再次調整鈍化等離子功率； 其中，所述裂紋形態參數包括裂紋寬度和裂紋面積。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人賽米微爾半導體(上海)有限公司，其通訊地址為：201100 上海市閔行區沈杜公路3387號三幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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