浙江晶越半導體有限公司高冰獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉浙江晶越半導體有限公司申請的專利一種高效率碳化硅單晶生長裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119900075B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510396937.3，技術領域涉及：C30B23/00；該發明授權一種高效率碳化硅單晶生長裝置是由高冰;李璐杰設計研發完成，并于2025-04-01向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種高效率碳化硅單晶生長裝置在說明書摘要公布了：本發明涉及碳化硅晶體生長領域，尤其涉及一種高效率碳化硅單晶生長裝置，其包括一個坩堝主體，所述坩堝主體從上至下按照溫區分布劃分為高溫區以及低溫區，且所述高溫區以及低溫區相互連通；其中，所述高溫區內設置有一個用于盛放碳化硅粉源的粉料曲，所述高溫區的頂部還設置有一個用于盛放碳粉的碳粉區；所述低溫區底部粘結設置有一個用于沉積碳化硅晶體的籽晶；所述坩堝主體內部還設置有用于過濾固體顆粒掉落至籽晶表面的過濾裝置。本申請通過改變坩堝主體內部高溫區與低溫區的設置方向，有效改變了用于碳化硅單晶沉積的氣體的擴散方向以及分布方式，從而提升了晶體生長速率。
本發明授權一種高效率碳化硅單晶生長裝置在權利要求書中公布了：1.一種高效率碳化硅單晶生長裝置，其特征在于， 包括一個坩堝主體（1），所述坩堝主體（1）從上至下按照溫區分布劃分為高溫區（2）以及低溫區（3），且所述高溫區（2）以及低溫區（3）相互連通；其中， 所述高溫區（2）內設置有一個用于盛放碳化硅粉源的碳化硅粉料區（4），所述高溫區（2）的頂部還設置有一個用于盛放碳粉的碳粉區（5）； 所述低溫區（3）底部粘結設置有一個用于沉積碳化硅晶體的籽晶（6）； 所述坩堝主體（1）從上到下依次包括坩堝頂蓋（11）、坩堝筒（12）以及籽晶蓋（13）； 所述碳粉區（5）設置于所述坩堝頂蓋（11）的下方，所述籽晶（6）粘結于所述籽晶蓋（13）的頂端，使得在碳化硅沉積過程中累積的Si氣氛將趨向于在坩堝頂蓋（11）處擴散分布，粉料揮發的Si2C、SiC2氣氛則趨向于坩堝底部的籽晶蓋（13）處分布； 所述坩堝主體（1）內部還設置有用于過濾固體顆粒掉落至籽晶（6）表面的過濾裝置（7）。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人浙江晶越半導體有限公司，其通訊地址為：312400 浙江省紹興市嵊州市浦口街道浦南大道368號9號廠房二樓202室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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