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龍圖騰網獲悉南通威斯派爾半導體技術有限公司申請的專利一種覆銅陶瓷基板及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119775042B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411982345.1，技術領域涉及：C04B37/02；該發明授權一種覆銅陶瓷基板及其制備方法是由劉曉輝;周鑫設計研發完成，并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種覆銅陶瓷基板及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種覆銅陶瓷基板及其制備方法，在覆銅板制備時采用氮化硅陶瓷基板，先將氮化硅陶瓷基板依次通過丙酮、無水乙醇和去離子水進行表面清洗除油，以去除其表面雜質，再將其表面邊緣通過激光加工預切出焊料導流槽，再在陶瓷基板表面旋涂光刻膠，曝光顯影出焊料槽圖形，該焊料槽圖形與預設的后續電路化的圖形一致，再進行ICP刻蝕出焊料槽，焊料槽與焊料導流槽相互連接；本發明工藝設計合理，操作簡單，制備得到的覆銅板具有較優異的強度，陶瓷基板與銅箔之間結合性能較好，且在覆銅陶瓷基板加工過程中能夠對焊料進行控制，避免其出現溢出擴散的情況，產品整體外觀優異，且良率較高，可用于批量化生產，具有較高的實用性。

本發明授權一種覆銅陶瓷基板及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種覆銅陶瓷基板的制備方法，其特征在于：包括以下步驟： （1）取陶瓷基板，丙酮溶液超聲清洗10~15min，再依次采用依次無水乙醇、去離子水超聲清洗，超聲清洗時間均為10~15min，氮氣吹干； （2）在陶瓷基板一側表面邊緣預切焊料導流槽，去離子水清洗，干燥，再在陶瓷基板表面旋涂光刻膠，100~110℃下烘烤10~15min，紫外曝光，顯影，暴露出焊料槽圖形，將陶瓷基板置于ICP刻蝕機中進行ICP刻蝕，在陶瓷基板表面刻蝕出焊料槽，所述焊料槽與焊料導流槽相互連接； 取ICP刻蝕后的陶瓷基板，去除表面光刻膠，再依次通過丙酮、無水乙醇、去離子水超聲清洗，超聲清洗時間均為10~15min，氮氣吹干； （3）取改性石墨烯、氧化鋁、碳酸鈣、碳化硅、氮化硅，混合均勻后球磨，加入分散劑、粘結劑和水，攪拌均勻，得到過渡涂覆料，將其涂覆至焊料槽中，1500~1600℃高溫下燒結30~40min，得到過渡層； （4）取銀粉、銅粉、氫化鈦粉和改性石墨烯，混合攪拌均勻后研磨5~10min，160~180rmin轉速下球磨40~50min，球磨后加入增稠劑、分散劑、溶劑、抗氧化劑和觸變劑，混合攪拌均勻，得到焊料； 將焊料涂覆至焊料導流槽、焊料槽內，并覆蓋在過渡層上，得到活性焊料層； （5）重復步驟（2）~（4），在陶瓷基板另一側加工相互連接的焊料槽與焊料導流槽，并涂覆過渡層和活性焊料層，去離子水清洗，干燥； 取銅箔，固定在陶瓷基板兩側，高溫釬焊，得到覆銅板；取覆銅板，進行電路圖形化處理，刻蝕出預設電路圖形，得到所述覆銅陶瓷基板； 步驟（2）中，所述焊料槽的圖形與預設電路圖形相同，當預設電路圖形寬度為a，所述焊料槽寬度為0.6a~0.8a； 所述改性石墨烯制備方法為：取五水硫酸銅、硝酸銀，混合后加入氧化石墨烯水溶液、去離子水、檸檬酸鈉和硼氫化鈉，25~30℃下攪拌反應1~2h，反應結束后靜置2~3h，抽濾洗滌，真空干燥，得到改性石墨烯。

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