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龍圖騰網獲悉廣東中圖半導體科技股份有限公司申請的專利一種圖形化襯底的二次利用方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116072776B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202310209879.X，技術領域涉及：H10H20/01；該發明授權一種圖形化襯底的二次利用方法是由李佩文;肖兆威;盧建航設計研發完成，并于2023-03-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種圖形化襯底的二次利用方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種圖形化襯底的二次利用方法。包括：提供待處理圖形化襯底；待處理圖形化襯底包括多個凸起結構，凸起結構包括由上至下層疊的第一部和第二部；將待處理圖形化襯底置于干法刻蝕設備內，利用主刻蝕氣體和輔刻蝕氣體的混合氣體對待處理圖形化襯底進行干法刻蝕，以調節凸起結構呈目標形狀；其中，輔刻蝕氣體用于調節主刻蝕氣體對第一部和或第二部的刻蝕速率。本申請中，通過匹配干法刻蝕工藝中的刻蝕氣體組分，合理利用輔刻蝕氣體對刻蝕速率的輔助調節作用，采用一步干法刻蝕工藝即可對待處理圖形化襯底進行二次處理，較大程度上縮短了圖形化襯底的回收周期，有效提升圖形化襯底的二次利用效率。

本發明授權一種圖形化襯底的二次利用方法在權利要求書中公布了：1.一種圖形化襯底的二次利用方法，其特征在于，包括： 提供待處理圖形化襯底；所述待處理圖形化襯底包括多個凸起結構，所述凸起結構包括由上至下層疊的第一部和第二部，所述第一部和所述第二部的材料不同； 將所述待處理圖形化襯底置于干法刻蝕設備內，利用主刻蝕氣體和輔刻蝕氣體的混合氣體對所述待處理圖形化襯底進行干法刻蝕，以調節所述凸起結構呈目標形狀； 其中，所述輔刻蝕氣體用于調節所述主刻蝕氣體對第一部和或第二部的刻蝕速率； 利用所述主刻蝕氣體和所述輔刻蝕氣體的混合氣體對所述待處理圖形化襯底進行干法刻蝕，包括： 利用所述主刻蝕氣體和所述輔刻蝕氣體的混合氣體對所述待處理圖形化襯底進行干法刻蝕，以去除所述凸起結構的所述第一部； 在干法刻蝕過程中，采用所述輔刻蝕氣體輔助提升所述主刻蝕氣體對所述第一部與所述第二部的刻蝕選擇比； 在將所述待處理圖形化襯底置于干法刻蝕設備內，利用主刻蝕氣體和輔刻蝕氣體的混合氣體對所述待處理圖形化襯底進行干法刻蝕之前，還包括： 按照所述待處理圖形化襯底的所述凸起結構的形貌參數和所述凸起結構的材料對所述待處理圖形化襯底進行分類；所述形貌參數至少包括所述凸起結構的高度、底部寬度以及所述第一部和所述第二部的高度比；所述凸起結構的材料包括所述第一部的材料和所述第二部的材料； 利用主刻蝕氣體和輔刻蝕氣體的混合氣體對所述待處理圖形化襯底進行干法刻蝕，包括： 利用同一干法刻蝕工藝對同類型的所述待處理圖形化襯底進行刻蝕；其中，同類型的所述待處理圖形化襯底的各項形貌參數的差值均小于預設差值且所述凸起結構材料相同。

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