西北核技術研究所張信軍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西北核技術研究所申請的專利一種微分型電流探測器的電學參數確定方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115826060B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211611224.7,技術領域涉及:G01V3/10;該發明授權一種微分型電流探測器的電學參數確定方法是由張信軍;羅維熙;呼義翔;尹佳輝;張天洋;孫江;楊實設計研發完成,并于2022-12-14向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種微分型電流探測器的電學參數確定方法在說明書摘要公布了:本發明涉及一種微分型電流探測器的電學參數確定方法,應用于前沿時間在ns至百ns量級,幅值在百kA級的脈沖電流探測器設計,解決現有的B?dot研制工作中電路設計不完全、B?dot電路模型過于簡化不能完整反映傳感器的響應能力,以及在大多數依賴實驗驗證的情況下B?dot難以給出電路參數的技術問題。該微分型電流探測器的電學參數確定方法,包括以下步驟:1設置B?dot電路模型定義B?dot電路模型的輸出電壓為u;2對步驟1所得的B?dot電路模型施加不同的激勵源,獲得不同的等效電路;3利用步驟2所得的電路,確定微分型電流探測器的電學參數;所述電學參數包括B?dot電感L、對地電容C與高壓電容CH的取值范圍;完善了B?dot的物理設計。
本發明授權一種微分型電流探測器的電學參數確定方法在權利要求書中公布了:1.一種微分型電流探測器的電學參數確定方法,其特征在于,包括以下步驟: 1設置B-dot電路模型 定義B-dot電路模型的輸出電壓為u; 所述B-dot電路模型包括高壓電容CH、對地電容C、及并聯在對地電容C兩端的B-dot電感L和信號電纜阻抗Z; 所述對地電容C的一端與高壓電容CH的一端連接,另一端接地; 所述高壓電容CH的另一端用于連接高壓電極電壓u0; 所述B-dot電感L與待測電流Io之間的互感為M; 2對步驟1所得的B-dot電路模型施加不同的激勵源,獲得不同的等效電路;所述激勵源為待測電流Io或高壓電極電壓u0; 2.1、對步驟1所得的B-dot電路模型輸入待測電流Io,獲得第一電路; 2.2、對步驟1所得的B-dot電路模型輸入高壓電極電壓u0,獲得第二電路; 3利用步驟2所得的不同的等效電路建立方程組,求解方程組確定微分型電流探測器的電學參數;所述電學參數包括B-dot電感L、對地電容C與高壓電容CH的取值范圍,具體為: 3.1、根據步驟2.1中的第一電路建立第一方程,并求解; 3.1.1、建立第一方程為: 式中:uj1為第一電路輸出電壓u1的積分,uj1=∫u1dt,t為時間; 3.1.2、求解步驟3.1.1中所得第一方程的特征根,獲得第一方程的特征根p1、特征根p2分別為 且所述特征根p1與特征根p2滿足下式: L2-4C+CHLZ2≥0 3.1.3、根據步驟3.1.2中所得特征根p1與特征根p2,求第一方程的方程解為: 3.1.4、根據步驟3.1.3中所得uj1波形幅值的10%~90%,獲得B-dot階躍響應前沿時間trD的取值范圍為: 1.68LZ≤trD≤2.2LZ; 3.2、根據步驟2.2中的第二電路建立第二方程,并求解; 3.2.1、建立第二方程為: 式中:uj2為第二電路輸出電壓u2的積分,uj2=∫u2dt; 3.2.2、求解步驟3.2.1中所得第二方程的特征根,獲得第二方程的特征根p3、特征根p4分別為 3.2.3、由步驟3.1.2與步驟3.2.2可得p3=p1,p4=p2,求第二方程的方程解為: 3.3、根據步驟3.1所得的第一方程與步驟3.2所得的第二方程,確定微分型電流探測器的B-dot電感L、對地電容C與高壓電容CH的取值范圍。
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