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龍圖騰網獲悉西北核技術研究所申請的專利一種微分型電流探測器的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115932980B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211610128.0，技術領域涉及：G01V3/10；該發明授權一種微分型電流探測器的制作方法是由張信軍;羅維熙;呼義翔;尹佳輝;張天洋;孫江;楊實設計研發完成，并于2022-12-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種微分型電流探測器的制作方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種微分型電流探測器的制作方法，應用于前沿時間在ns至百ns量級，幅值在百kA級的脈沖電流探測器設計，解決現有的微分型電流探測器B?dot研制工作中未考慮結構誤差影響，導致B?dot一致性較差的技術問題。該微分型電流探測器的制作方法，包括以下步驟：1設置B?dot的電路模型；B?dot的電路模型包括B?dot電感L，與B?dot電感L連接的信號電纜阻抗Z，以及與待測電流Io與B?dot之間的互感M；2依據B?dot輸出信號幅值uw，約束B?dot環體尺寸；3依據屏蔽孔內部磁場B的分布，確定B?dot沿屏蔽孔軸線方向的尺寸、B?dot環體位置及B?dot環面角度；4根據B?dot環體尺寸、B?dot沿屏蔽孔軸線方向的尺寸、B?dot環體位置及B?dot環面角度，制作微分型電流探測器。

本發明授權一種微分型電流探測器的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種微分型電流探測器的制作方法，其特征在于：包括以下步驟： 1設置B-dot的電路模型； 所述B-dot的電路模型包括B-dot電感L，與B-dot電感L連接的信號電纜3阻抗Z，以及待測電流Io與B-dot之間的互感M； 2依據B-dot輸出信號幅值uw，約束B-dot環體尺寸；所述B-dot環體尺寸為等效環面面積nS： 2.1估算B-dot輸出信號幅值uw為： uw＝MIotr 式中，tr為待測電流Io前沿； 2.2通過步驟2.1中uw＝MIotr，確定B-dot環體尺寸nS： nS＝MIoBi 式中，Bi為B-dot處磁場，與待測電流Io成正比；n為B-dot環體1的匝數，S為B-dot環面面積； 3依據屏蔽孔2內部磁場B的分布，確定B-dot沿屏蔽孔2軸線方向的尺寸、B-dot環體1位置及B-dot環面角度； 所述確定B-dot沿屏蔽孔2軸線方向的尺寸具體為： A1模擬屏蔽孔2內部磁場B 定義屏蔽孔2內部磁場B沿x軸方向，屏蔽孔2軸線沿y軸方向，坐標原點o位于屏蔽孔2外緣中心處，-y向表示屏蔽孔2內部深度； 計算y軸方向面積元內磁通dΦy 式中：a為y軸方向面積元起點，ly為沿y軸方向面積元總長度，dz為y軸方向面積元寬度，B0為屏蔽孔2表面磁場，k為常數； A2根據y軸方向面積元內磁通dΦy確定B-dot沿y軸方向面積元總長度ly，獲得沿屏蔽孔2軸線方向的尺寸； 所述確定B-dot環體1位置范圍具體為： B1當z＝0時，根據屏蔽孔2內部磁場B分布，等深度條件下，對比x軸方向不同位置處磁場相對于屏蔽孔2軸線磁場的偏差，在磁場變化小于5％時，可得B-dot環體1在x軸方向位置變化不超±0.1d，d為屏蔽孔孔徑； B2當x＝0時，根據屏蔽孔2內部磁場B分布，等深度條件下，對比z軸方向不同位置處磁場相對于屏蔽孔2軸線磁場的偏差，在磁場變化小于5％時，可得B-dot環體1在z軸方向位置變化不超±0.17d； B3當y軸方向面積元內磁通dΦy小于8.4％，可得B-dot環體1在y軸方向位置變化不超±0.088dk； 4根據B-dot環體尺寸、B-dot沿屏蔽孔2軸線方向的尺寸、B-dot環體1位置及B-dot環面角度，制作微分型電流探測器。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人西北核技術研究所，其通訊地址為：710024 陜西省西安市灞橋區平峪路28號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。