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龍圖騰網獲悉中國科學院深圳先進技術研究院申請的專利一種有源電流控制電路獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115793765B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211589377.6，技術領域涉及：G05F1/56；該發明授權一種有源電流控制電路是由洪序達;于東洋;梁棟;鄭海榮設計研發完成，并于2022-12-12向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種有源電流控制電路在說明書摘要公布了：本發明涉及場致發射裝置領域，具體涉及一種有源電流控制電路，包括：場致發射X射線源模塊、漏極保護電阻、第一級MOS管電路、第二級MOS管電路；場致發射X射線源模塊中的場致發射X射線源通過漏極保護電阻與第一級MOS管電路中的MOS管串聯，第二級MOS管電路包括并聯的兩個MOS管，第二級MOS管電路中的兩個MOS管并聯后與第一級MOS管電路中的MOS管串聯。本發明實施例中的有源電流控制電路，能夠實現對場發射X射線源陰極發射電流的調節與穩定。適用于冷陰極場致發射X射線源陰極電流控制，具有實時性、高穩定性的特點，以低壓信號控制級聯MOSFET的方式實現冷陰極場致發射X射線源陰極電流的穩定和均衡。

本發明授權一種有源電流控制電路在權利要求書中公布了：1.一種有源電流控制電路，其特征在于，包括：場致發射X射線源模塊、漏極保護電阻、第一級MOS管電路、第二級MOS管電路；所述場致發射X射線源模塊中的場致發射X射線源通過所述漏極保護電阻與所述第一級MOS管電路中的MOS管串聯，所述第二級MOS管電路包括并聯的兩個MOS管，所述第二級MOS管電路中的兩個MOS管并聯后與所述第一級MOS管電路中的MOS管串聯； 其中，所述場致發射X射線源模塊中的場致發射X射線源陰極通過所述漏極保護電阻與所述第一級MOS管電路中的MOS管的漏極串聯； 所述場致發射X射線源模塊的脈沖工作狀態由所述第一級MOS管電路中的MOS管控制，通過給所述第一級MOS管電路中MOS管的柵極施加脈沖信號對其進行控制； 當柵極施加脈沖信號處于低電平，所述第一級MOS管電路中MOS管工作在截止狀態，其將承擔來自所述場致發射X射線源陰極的高電壓，當柵極施加脈沖信號處于高電平，該高電平為使所述第一級MOS管電路中MOS管處在完全打開的飽和區； 所述第二級MOS管電路中，并聯的兩個MOS管中漏極與漏極相連，源極與源極相連；并聯的兩個MOS管的漏極與所述第一級MOS管電路中MOS管的源極相連； 所述第二級MOS管電路中兩個MOS管的源級接地； 所述第一級MOS管電路中的MOS管、所述第二級MOS管電路中的兩個MOS管柵極均通過MOS管柵極保護電阻再分別與MOS管柵極脈沖驅動電源、MOS管柵極直流驅動電源、MOS管柵極直流驅動電源進行連接。

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