三菱電機株式會社山內宏哉獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三菱電機株式會社申請的專利半導體模塊獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114730745B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:201980102435.8,技術領域涉及:H01L23/34;該發明授權半導體模塊是由山內宏哉;豬之口誠一郎;井本裕兒;飯塚新設計研發完成,并于2019-11-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體模塊在說明書摘要公布了:在基座板1之上設置有絕緣基板2。在絕緣基板2之上設置有半導體元件6~9。殼體10以將絕緣基板2及半導體元件6~9包圍的方式配置,通過粘接劑11與基座板1接合。封裝材料22在殼體10的內部將絕緣基板2及半導體元件6~9封裝。在與基座板1的上表面外周部相對的殼體10的下表面設置有槽23。槽23的底面具有朝向基座板1凸出的凸出部24。凸出部24具有頂點25和夾著頂點25而在殼體10的更靠內側處和更靠外側處分別設置的坡面26、27。粘接劑11與頂點25接觸,粘接劑11被收容于槽23的內部。
本發明授權半導體模塊在權利要求書中公布了:1.一種半導體模塊,其特征在于,具有: 基座板; 絕緣基板,其設置于所述基座板之上; 半導體元件,其設置于所述絕緣基板之上; 殼體,其以將所述絕緣基板及所述半導體元件包圍的方式配置,通過粘接劑而與所述基座板接合;以及 封裝材料,其在所述殼體的內部將所述絕緣基板及所述半導體元件封裝, 在與所述基座板的上表面外周部相對的所述殼體的下表面設置有槽, 所述槽的底面具有朝向所述基座板凸出的凸出部, 所述凸出部具有頂點和夾著所述頂點而在所述殼體的更靠內側處和更靠外側處分別設置的坡面, 所述頂點和夾著所述頂點的兩側的所述坡面構成V字狀或具有規定曲率的曲面狀的剖面形狀, 所述粘接劑與所述頂點接觸,所述粘接劑以沒有完全填埋所述槽的內部的狀態被收容于所述槽的內部, 與所述凸出部的所述頂點接觸的所述粘接劑被擠壓變形而沿所述凸出部的夾著所述頂點的兩側的所述坡面擴展。
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