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龍圖騰網獲悉西北核技術研究所申請的專利一種區分納米MOSFET器件單粒子瞬態不同電荷收集機制的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115795870B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211524138.2，技術領域涉及：G06F30/20；該發明授權一種區分納米MOSFET器件單粒子瞬態不同電荷收集機制的方法是由盧超;陳偉;羅尹虹;丁李利;張鳳祁;薛院院設計研發完成，并于2022-11-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種區分納米MOSFET器件單粒子瞬態不同電荷收集機制的方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種區分納米MOSFET器件單粒子瞬態不同電荷收集機制的方法。克服傳統電荷收集機制研究方法計算精度較低、無法區分源漏導通和雙極放大機制以及無法給出不同電荷收集機制的物理過程的問題。包括器件單粒子瞬態仿真、分析單粒子瞬態漏端接觸電荷收集機制以及獲得不同電荷收集機制的電荷量以及各個電荷收集機制對單粒子瞬態漏端接觸總電荷收集量貢獻的步驟。通過分析器件內部電學參數的變化，從微觀原理上來區分不同電荷收集機制，使得不僅可以準確的計算各種電荷收集機制對總電荷收集量的貢獻，還可以給出電荷收集的微觀物理過程，可以為器件抗單粒子瞬態加固提供針對性的理論指導。

本發明授權一種區分納米MOSFET器件單粒子瞬態不同電荷收集機制的方法在權利要求書中公布了：1.一種區分納米MOSFET器件單粒子瞬態不同電荷收集機制的方法，其特征在于，包括以下步驟： 步驟1、器件建模，獲得器件模型； 步驟2、器件單粒子瞬態仿真，獲取器件內部相關電學參數； 利用SentaurusTCAD軟件中的sdevice工具對器件模型進行單粒子瞬態仿真，重離子根據需要選擇不同位置入射，獲得器件源端接觸、漏端接觸和襯底接觸的電子電流和空穴電流瞬態以及漏端接觸電流隨時間變化曲線；并在仿真過程中調用相應命令，持續記錄器件溝道區域的平均電子濃度和平均空穴濃度，獲得器件溝道區域的平均電子濃度和平均空穴濃度隨時間的變化曲線；同時記錄單粒子瞬態產生過程中器件內部電子濃度分布和空穴濃度分布； 步驟3、基于步驟2獲取的相關電學參數，分析單粒子瞬態漏端接觸電荷收集機制； 步驟3.1、確定漂移擴散收集電荷部分； 由步驟2得到器件源端接觸、漏端接觸和襯底接觸的電子電流和空穴電流瞬態，確定漂移擴散收集電荷部分，其中襯底接觸電子電流和襯底接觸空穴電流由漂移擴散收集導致，源端接觸空穴電流和正源端接觸電子電流由漂移擴散收集導致； 步驟3.2、區分源漏導通和雙極放大； 基于步驟2獲得的器件溝道區域的平均電子濃度和平均空穴濃度隨時間的變化曲線、以及漏端接觸電流隨時間變化曲線與單粒子瞬態產生過程中器件內部電子濃度分布和空穴濃度分布，比較單粒子瞬態產生過程中器件溝道內電子濃度和器件開態時溝道內電子濃度的大小，若單粒子瞬態產生過程中溝道內電子濃度大于等于開態時溝道內電子濃度，則負源端接觸電子電流是源漏導通收集； 若單粒子瞬態產生過程中溝道內電子濃度小于開態時溝道內電子濃度，則負源端接觸電子電流是雙極放大收集； 步驟4、根據步驟3確定的電荷收集機制，獲得不同電荷收集機制的電荷量以及各個電荷收集機制對單粒子瞬態漏端接觸總電荷收集量的貢獻；具體為： 將襯底接觸電子電流瞬態、襯底接觸空穴電流瞬態、源端接觸空穴電流瞬態和正源端接觸電子電流瞬態相加，然后對時間積分得到單粒子瞬態漂移擴散收集電荷量； 將負源端接觸電子電流對時間積分得到源漏導通或雙極放大收集電荷量； 將單粒子瞬態漂移擴散收集電荷量與源漏導通或雙極放大收集電荷量相加得到單粒子瞬態漏端接觸總電荷收集量； 基于單粒子瞬態漂移擴散收集電荷量、源漏導通收集電荷量、雙極放大收集電荷量分別與單粒子瞬態漏端接觸總電荷收集量的比值，獲得不同電荷收集機制對單粒子瞬態漏端接觸總電荷收集量的貢獻。

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