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龍圖騰網(wǎng)獲悉東華大學(xué)申請(qǐng)的專(zhuān)利一種用于多級(jí)存儲(chǔ)的生物憶阻器及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專(zhuān)利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN115513369B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專(zhuān)利申請(qǐng)?zhí)?專(zhuān)利號(hào)為：202211307983.4，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10N70/20；該發(fā)明授權(quán)一種用于多級(jí)存儲(chǔ)的生物憶阻器及其制備方法是由范蘇娜;謝玉龍;劉樞濱;張耀鵬設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-10-25向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專(zhuān)利申請(qǐng)。

本一種用于多級(jí)存儲(chǔ)的生物憶阻器及其制備方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明涉及一種用于多級(jí)存儲(chǔ)的生物憶阻器及其制備方法，生物憶阻器由電極層、憶阻功能層和導(dǎo)電層順序復(fù)合而成，其中，憶阻功能層由GO層、SF層結(jié)晶度為35～60％和GO層順序復(fù)合而成；各個(gè)GO層的厚度為15～25nm，SF層的厚度為30～80nm，電極層的厚度為200～300nm；電極層為Al電極層或Ag電極層；制備方法為：在導(dǎo)電層的上表面依次旋涂GO分散液形成GO層、旋涂SF溶液后在乙醇水溶液中浸泡并干燥形成SF層，然后繼續(xù)在SF層的上表面旋涂GO分散液形成GO層、沉積電極層。本發(fā)明的產(chǎn)品可通過(guò)調(diào)控限制電流實(shí)現(xiàn)器件在雙阻態(tài)電阻切換和三阻態(tài)電阻切換之間的相互轉(zhuǎn)變；本發(fā)明的制備方法簡(jiǎn)單易操作。

本發(fā)明授權(quán)一種用于多級(jí)存儲(chǔ)的生物憶阻器及其制備方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種用于多級(jí)存儲(chǔ)的生物憶阻器，其特征在于，由電極層、憶阻功能層和導(dǎo)電層順序復(fù)合而成，其中，憶阻功能層由GO層、SF層和GO層順序復(fù)合而成，SF層的結(jié)晶度為35～60％； 各個(gè)GO層的厚度為15～25nm，SF層的厚度為30～80nm，電極層的厚度為200～300nm； 電極層為Al電極層或Ag電極層； 當(dāng)調(diào)控限制電流值Icc≤0.01A時(shí)，用于多級(jí)存儲(chǔ)的生物憶阻器具有雙阻態(tài)電阻切換行為；當(dāng)調(diào)控限制電流值Icc0.01A時(shí)，用于多級(jí)存儲(chǔ)的生物憶阻器具有三阻態(tài)電阻切換行為； 當(dāng)調(diào)控限制電流值Icc0.01A時(shí)，用于多級(jí)存儲(chǔ)的生物憶阻器在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)存在高、中、低三種電阻狀態(tài)。

如需購(gòu)買(mǎi)、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類(lèi)似專(zhuān)利技術(shù)，可聯(lián)系本專(zhuān)利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人東華大學(xué)，其通訊地址為：201620 上海市松江區(qū)人民北路2999號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。