廈門市三安集成電路有限公司王偉強獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉廈門市三安集成電路有限公司申請的專利一種多材料層芯片的激光切割后處理方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115692316B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211278613.2，技術領域涉及：H01L21/78；該發明授權一種多材料層芯片的激光切割后處理方法是由王偉強;魏鴻基;何先良設計研發完成，并于2022-10-19向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種多材料層芯片的激光切割后處理方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種多材料層芯片的激光切割后處理方法，其晶圓具有夾設于兩GaAs材料層之間的InGap層，進行激光切割處理后芯片邊緣附著有激光切割形成的重鑄層，依次進行針對InGap的第一蝕刻和針對GaAs的第二蝕刻，并重復第一蝕刻和第二蝕刻至去除重鑄層。通過交替循環進行步進式蝕刻，解決了切割道殘留碎屑毛邊的問題，防止較長的殘余材料層斷裂形成鋒利的碎屑對芯片表面造成的劃傷，提高了產品良率。
本發明授權一種多材料層芯片的激光切割后處理方法在權利要求書中公布了：1.一種多材料層芯片的激光切割后處理方法，其特征在于，包括以下步驟： 1對經過器件制程的晶圓進行激光切割處理，形成獨立的芯片，芯片邊緣附著有激光切割形成的重鑄層；所述晶圓為GaAs基晶圓，且具有夾設于兩GaAs材料層之間的InGap層； 2采用H3PO4:HCl＝1:2～8的蝕刻液對InGap進行第一蝕刻，蝕刻后進行清洗； 3采用NH4OH:H2O2:H2O＝0.5～3:0.5～3:10的蝕刻液對GaAs進行第二蝕刻，蝕刻后進行清洗； 4依次重復步驟2和步驟3的步驟至去除所述重鑄層，其中第一蝕刻的總時間為10～60s，第二蝕刻的總時間為30～120s。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人廈門市三安集成電路有限公司，其通訊地址為：361000 福建省廈門市同安區洪塘鎮民安大道753-799號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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