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龍圖騰網獲悉華南理工大學申請的專利一種AlGaN/Nb₂C基紫外光電探測器及其制備方法獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115566096B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202211064807.2，技術領域涉及：H10F30/227；該發(fā)明授權一種AlGaN/Nb₂C基紫外光電探測器及其制備方法是由王文樑;李林浩設計研發(fā)完成，并于2022-09-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種AlGaN/Nb₂C基紫外光電探測器及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種AlGaNNb2C基紫外光電探測器及其制備方法，所述AlGaNNb2C基紫外光電探測器包括在藍寶石襯底上依次生長非摻雜Ga極性面AlN緩沖層和非摻雜Ga極性面AlxGa1?xN層的紫外光電探測器外延片和設置在所述紫外光電探測器外延片上的絕緣層、歐姆接觸電極和肖特基接觸電極以及利用陣列凸臺設計間隔臺面，其中，x＝0.5～0.8，肖特基接觸電極采用二維Nb2C材料制備，絕緣層為Al2O3絕緣層。本發(fā)明提供的AlGaN紫外光電探測器，提高了AlGaN紫外光電探測器在紫外日盲波段的響應度和探測率。

本發(fā)明授權一種AlGaN/Nb₂C基紫外光電探測器及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種AlGaNNb2C基紫外光電探測器的制備方法，其特征在于，所述方法包括： 在藍寶石襯底上依次生長非摻雜Ga極性面AlN緩沖層和非摻雜Ga極性面AlxGa1-xN層，得到紫外光電探測器外延片并進行處理；其中，x=0.5~0.8； 對處理后的紫外光電探測器外延片進行光刻，得到隔離圖案；對光刻后的紫外光電探測器外延片進行刻蝕，沿隔離圖案刻蝕出凹槽； 通過掩模版對準，在所述非摻雜Ga極性面AlxGa1-xN層上的一側進行光刻，在所述非摻雜Ga極性面AlxGa1-xN層上制備絕緣層圖案；將制備有絕緣層圖案的紫外光電探測器外延片置于電子束蒸發(fā)設備中，蒸鍍絕緣層，得到絕緣層，對制備有絕緣層的紫外光電探測器外延片進行處理； 通過掩模版對準，在所述絕緣層上和所述非摻雜Ga極性面AlxGa1-xN層上的另一側分別進行光刻，得到歐姆接觸電極圖案；將制備有歐姆接觸電極圖案的紫外光電探測器外延片置于電子束蒸發(fā)設備中，蒸鍍歐姆接觸電極金屬，得到歐姆接觸電極金屬，對制備有歐姆接觸電極金屬的紫外光電探測器外延片進行處理； 通過掩模版對準，在所述絕緣層一側的歐姆接觸電極金屬上，以及所述絕緣層、歐姆接觸電極的內側面和所述非摻雜Ga極性面AlxGa1-xN層上，進行光刻，得到肖特基接觸電極圖案；將制備出肖特基接觸電極圖案的紫外光電探測器外延片置于載玻片上，將Nb2CTx液滴滴在AlGaN整流器外延片的表面上，并使其均勻地覆蓋，加熱放置定型后，得到肖特基接觸電極，從而制得AlGaNNb2C基紫外光電探測器，其中，Nb2CTx液滴的濃度為0.05~0.1gmL，加熱溫度為50~70℃，所述絕緣層為Al2O3絕緣層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯(lián)系本專利的申請人或專利權人華南理工大學，其通訊地址為：510640 廣東省廣州市天河區(qū)五山路381號；或者聯(lián)系龍圖騰網官方客服，聯(lián)系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。