電子科技大學長三角研究院(湖州)廖永波獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉電子科技大學長三角研究院(湖州)申請的專利一種雙柵氧化層PES-LDMOS的制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115101414B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210610220.0，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權一種雙柵氧化層PES-LDMOS的制作方法是由廖永波;馮珂;劉仰猛;劉玉婷;徐璐;路遠;黃樂天設計研發完成，并于2022-05-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種雙柵氧化層PES-LDMOS的制作方法在說明書摘要公布了：本發明專利涉及集成電路技術領域，尤其指一種雙柵氧化層PES?LDMOS的制作方法，包括以下步驟：S1：在P型襯底上進行離子注入；S2：離子注入形成P+區、N+源區、N+漏區；S3：通過刻蝕工藝，將多余部分進行刻蝕；S4：進行SiO2生長；S5：在溝道區上方生長柵介質層；S6：在柵介質層的上方淀積金屬形成柵電極。該方法減少了溝道上方柵介質層中的固定空穴電荷，減弱了其對電子的吸引能力，從而減小了閾值電壓Vth偏移量；其次溝道的P+區域，也可以有效抑制STI中寄生溝道的形成，抑制了泄漏電流路徑，減小了關斷電流Ioff。
本發明授權一種雙柵氧化層PES-LDMOS的制作方法在權利要求書中公布了：1.一種雙柵氧化層PES-LDMOS的制作方法，其特征在于:所述的制作方法包括以下步驟： S1：在P型襯底2上進行離子注入，分別形成P阱1和N阱3； S2：在所述P阱1的上方進行離子注入，形成兩個P+區4和一個N+源區5，所述兩個P+區4位于N+源區5的兩側，在所述N阱3內進行離子注入，形成N+漏區6，右側所述P+區4與所述P型襯底2上方稱為溝道區7； S3：通過刻蝕工藝，將所述P阱1的左側部分，以及所述N阱3左上方和右上方部分進行刻蝕； S4：在被刻蝕掉的部分進行SiO28的生長； S5：在所述溝道區7上方生長一層SiO2柵介質層10和高K柵介質層9，該兩部分都用做柵介質層12；所述高K柵介質層9與所述SiO2柵介質層10均通過薄膜生長技術生長而成，所述高K柵介質層9位于左側且比位于右側的SiO2柵介質層10薄； S6：在所述柵介質層12的上方淀積金屬形成柵電極11。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人電子科技大學長三角研究院(湖州)，其通訊地址為：313000 浙江省湖州市西塞山路819號南太湖科技創新綜合體B2幢8層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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