富芯微電子有限公司鄒有彪獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉富芯微電子有限公司申請的專利一種低功耗屏蔽柵型半導體功率器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114937637B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210523489.5，技術領域涉及：H10D64/00；該發明授權一種低功耗屏蔽柵型半導體功率器件及其制造方法是由鄒有彪;王全;倪俠;張榮;徐玉豹設計研發完成，并于2022-05-13向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種低功耗屏蔽柵型半導體功率器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種低功耗屏蔽柵型半導體功率器件及其制造方法，涉及半導體功率器件技術領域。一種低功耗屏蔽柵型半導體功率器件及其制造方法，包括基盒，基盒內壁固定連接有場氧化層，場氧化層內壁固定連接有回形柵極硅場板，回形柵極硅場板內壁固定連接有柵極硅場芯，柵極硅場芯頂部固定連接有蓋罩，蓋罩四周將基盒四周包圍。本發明以封裝形式以依次進行基盒、場氧化層、回形柵極硅場板、連接引腳和柵極硅場芯的封裝，從而利用回形的結構將電流分流，使得分流的電流能夠從柵極硅場芯的外壁四處進入到柵極硅場芯，從而讓柵極硅場芯能夠均勻的進行電流的進入，以此來減少器件的高負載點的產生，從而提高器件的使用壽命。
本發明授權一種低功耗屏蔽柵型半導體功率器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種低功耗屏蔽柵型半導體功率器件的制造方法，其特征在于：其生產步驟如下： 步驟一：基盒1制備，使用耐高溫塑料進行矩形基盒1的生產； 步驟二：場氧化層2的貼附，使用原料制備回形的薄膜貼附在基盒1的四周內壁上形成場氧化層2； 步驟三：柵極硅場芯5制備，使用二氧化硅為原材料，依照磨具進行柵極硅場芯5的成型； 步驟四：回形柵極硅場板3制備，使用單晶硅片對其進行內部和內部的切割形成回形柵極硅場板3； 步驟五：結合和連接引腳4嵌入，融化柵極硅場芯5的四周，并將其嵌入在回形柵極硅場板3，并在回形柵極硅場板3兩側固定上多個連接引腳4； 步驟六；蓋罩6密封；將蓋罩6覆蓋在融化柵極硅場芯5，完成低功耗屏蔽柵型半導體功率器件的制備。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人富芯微電子有限公司，其通訊地址為：230000 安徽省合肥市高新區柏堰科技園香蒲路503號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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