中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司游林獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司申請的專利光學鄰近修正方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116413991B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111675780.6,技術領域涉及:G03F1/36;該發明授權光學鄰近修正方法是由游林;嚴中穩設計研發完成,并于2021-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本光學鄰近修正方法在說明書摘要公布了:一種光學鄰近修正方法,包括:提供初始版圖,初始版圖中包括沿第一方向排布的第一密集區、第一交界區、稀疏區、第二交界區以及第二密集區,第一密集區內具有若干平行于第二方向且沿第一方向排布的第一圖形,第一交界區內具有第一邊緣圖形,第二密集區內具有若干平行于第二方向且沿第一方向排布的第二圖形,第二交界區內具有第二邊緣圖形;獲取第一邊緣圖形和第二邊緣圖形的環境信息;根據環境信息。通過所述光學鄰近修正方法,能夠具有針對性的根據每一種情形下第一邊緣圖形和第二邊緣圖形所處的環境,確定形成在稀疏區中的輔助圖形的數量、位置和尺寸,以提升最終的光學鄰近修正的效果。
本發明授權光學鄰近修正方法在權利要求書中公布了:1.一種光學鄰近修正方法,其特征在于,包括: 提供初始版圖,所述初始版圖中包括沿第一方向排布的第一密集區、第一交界區、稀疏區、第二交界區以及第二密集區,所述第一交界區位于所述第一密集區和所述稀疏區之間,所述第二交界區位于所述第二密集區和所述稀疏區之間,所述稀疏區位于所述第一交界區和所述第二交界區之間,所述第一密集區內具有若干平行于第二方向且沿所述第一方向排布的第一圖形,所述第一方向與所述第二方向相垂直,所述第一交界區內具有第一邊緣圖形,所述第二密集區內具有若干平行于所述第二方向且沿所述第一方向排布的第二圖形,所述第二交界區內具有第二邊緣圖形; 獲取所述第一邊緣圖形和所述第二邊緣圖形的環境信息; 根據所述環境信息,確定形成在所述稀疏區中的輔助圖形的數量、位置和尺寸;其中, 相鄰的所述第一圖形之間具有第一中心距p1,相鄰的所述第二圖形之間具有第二中心距p2,所述第一中心距p1和所述第二中心距p2相等;所述第一圖形具有第一寬度尺寸w1,所述第二圖形具有第二寬度尺寸w2;所述第一寬度尺寸w1和所述第二寬度尺寸w2相等;所述第一邊緣圖形具有第一長度尺寸L1;所述第二邊緣圖形具有第二長度尺寸L2; 所述環境信息包括:所述第一邊緣圖形和所述第二邊緣圖形之間的邊緣中心距D1;所述第一邊緣圖形在所述第二邊緣圖形上的投影長度Len;所述第一邊緣圖形的若干第一環境探測數據,所述第一環境探測數據用于記錄以所述第一邊緣圖形的邊沿為起點,朝所述第二方向或第三方向的預設區域范圍內,是否存在周圍圖形,所述第二邊緣圖形的若干第二環境探測數據,所述第二環境探測數據用于記錄以所述第二邊緣圖形的邊沿為起點,朝所述第二方向或所述第三方向的預設區域范圍內,是否存在周圍圖形; 若干所述第一環境探測數據包括:第一探測數據C1T、第二探測數據C2T、第三探測數據C1B以及第四探測數據C2B,其中,所述第一探測數據C1T根據歐幾里得探測方法,以1倍的所述第一中心距p1的探測長度,在所述第一邊緣圖形的頂部向所述第二方向探測獲取;所述第二探測數據C2T根據歐幾里得探測方法,以2倍的所述第一中心距p1的探測長度,在所述第一邊緣圖形的頂部向所述第二方向探測獲取;所述第三探測數據C1B根據歐幾里得探測方法,以1倍的所述第一中心距p1的探測長度,在所述第一邊緣圖形的底部向所述第三方向探測獲取;所述第四探測數據C2B根據歐幾里得探測方法,以2倍的所述第一中心距p1的探測長度,在所述第一邊緣圖形的底部向所述第三方向探測獲取;若干所述第二環境探測數據包括:第五探測數據C1T’、第六探測數據C2T’、第七探測數據C1B’以及第八探測數據C2B’,其中,所述第五探測數據C1T’根據歐幾里得探測方法,以1倍的所述第二中心距p2的探測長度,在所述第二邊緣圖形的頂部向所述第二方向探測獲取;所述第六探測數據C2T’根據歐幾里得探測方法,以2倍的所述第二中心距p2的探測長度,在所述第二邊緣圖形的頂部向所述第二方向探測獲取;所述第七探測數據C1B’根據歐幾里得探測方法,以1倍的所述第二中心距p2的探測長度,在所述第二邊緣圖形的底部向所述第三方向探測獲取;所述第八探測數據C2B’根據歐幾里得探測方法,以2倍的所述第二中心距p2的探測長度,在所述第二邊緣圖形的底部向所述第三方向探測獲取。
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