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龍圖騰網(wǎng)獲悉杭州士蘭微電子股份有限公司;杭州士蘭集成電路有限公司申請(qǐng)的專利一種慣性傳感器及其制備方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN114506812B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202111616431.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：B81C1/00；該發(fā)明授權(quán)一種慣性傳感器及其制備方法是由汪建平;季鋒設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-12-27向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種慣性傳感器及其制備方法在說明書摘要公布了：公開了一種慣性傳感器及其制備方法，方法包括：在第一襯底上形成第一介質(zhì)層以及第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層中形成第一開口以暴露出部分第一介質(zhì)層的表面；在第一導(dǎo)電層上形成保護(hù)層，保護(hù)層覆蓋部分第一導(dǎo)電層、第一開口的側(cè)壁及第一開口暴露的第一介質(zhì)層的表面；在部分第一導(dǎo)電層和部分保護(hù)層上形成具有第二開口的第二介質(zhì)層；在第二介質(zhì)層上形成第二導(dǎo)電層，第二導(dǎo)電層填充第二開口；在第二導(dǎo)電層上形成第一鍵合結(jié)構(gòu)；圖形化第二導(dǎo)電層，形成第三開口；經(jīng)由第三開口去除部分第二介質(zhì)層，形成空腔及可動(dòng)質(zhì)量塊；去除空腔中的第一導(dǎo)電層和第一介質(zhì)層表面暴露的保護(hù)層。本發(fā)明實(shí)施例的慣性傳感器及其制備方法通過保護(hù)層保證了慣性傳感器的可靠性。

本發(fā)明授權(quán)一種慣性傳感器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種慣性傳感器的制備方法，其特征在于，所述方法包括： 在第一襯底上形成第一介質(zhì)層以及第一導(dǎo)電層； 在所述第一導(dǎo)電層中形成第一開口以暴露出部分所述第一介質(zhì)層的表面； 在所述第一導(dǎo)電層上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層覆蓋部分所述第一導(dǎo)電層、所述第一開口的側(cè)壁及所述第一開口暴露的所述第一介質(zhì)層的表面； 在部分所述第一導(dǎo)電層和部分所述保護(hù)層上形成具有第二開口的第二介質(zhì)層； 在所述第二介質(zhì)層上形成第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層填充所述第二開口； 在所述第二導(dǎo)電層上形成第一鍵合結(jié)構(gòu)； 圖形化所述第二導(dǎo)電層，形成第三開口； 經(jīng)由所述第三開口去除部分所述第二介質(zhì)層，形成空腔及可動(dòng)質(zhì)量塊； 去除所述空腔中的所述第一導(dǎo)電層和所述第一介質(zhì)層表面暴露的所述保護(hù)層。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人杭州士蘭微電子股份有限公司;杭州士蘭集成電路有限公司，其通訊地址為：310012 浙江省杭州市黃姑山路4號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。