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龍圖騰網獲悉全球能源互聯網研究院有限公司;華中科技大學申請的專利一種利用薄膜沉積補償形變進行晶圓直接鍵合的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114334622B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202111527377.9，技術領域涉及：H01L21/18；該發明授權一種利用薄膜沉積補償形變進行晶圓直接鍵合的方法是由張文婷;張曹瑞;范繼;楊霏;安運來;吳軍民設計研發完成，并于2021-12-14向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種利用薄膜沉積補償形變進行晶圓直接鍵合的方法在說明書摘要公布了：本發明屬于微電子器件封裝技術領域，具體公開了一種利用薄膜沉積補償形變進行晶圓直接鍵合的方法，包括：獲取第一晶圓的第一初始翹曲度和第二晶圓的第二初始翹曲度，分別對第一晶圓和第二晶圓施加應力，使得第一晶圓發生形變調整以補償第一初始翹曲度，第二晶圓發生形變調整以補償第二初始翹曲度；對發生形變調整后的第一晶圓和第二晶圓進行表面活化，在室溫及1000mbar～6000mbar壓強下進行鍵合，得到鍵合結構；施加應力的方法為沉積二氧化硅薄膜，通過調整二氧化硅薄膜的致密性及厚度，能控制應力方向和大小。本發明通過沉積二氧化硅薄膜的方式對待鍵合的晶圓進行形變補償，并進行表面活化處理，可實現在室溫常壓下的晶圓直接鍵合。

本發明授權一種利用薄膜沉積補償形變進行晶圓直接鍵合的方法在權利要求書中公布了：1.一種利用薄膜沉積補償形變進行晶圓直接鍵合的方法，其特征在于，包括如下步驟： 獲取第一晶圓的第一初始翹曲度，對所述第一晶圓施加應力，使得所述第一晶圓發生形變調整以補償所述第一初始翹曲度； 獲取第二晶圓的第二初始翹曲度，對所述第二晶圓施加應力，使得所述第二晶圓發生形變調整以補償所述第二初始翹曲度； 對發生形變調整后的第一晶圓和發生形變調整后的第二晶圓進行表面活化，在室溫及1000mbar~6000mbar壓強下進行鍵合，得到鍵合結構，所述表面活化的方法為氧離子和氬粒子流活化； 其中，所述施加應力的方法為沉積二氧化硅薄膜，通過調整二氧化硅薄膜的致密性及厚度，能夠控制施加的應力的方向和大小； 根據薄膜厚度-形變模型，通過調整二氧化硅薄膜的厚度，以控制施加的應力的大小，從而調控發生形變調整后的待鍵合晶圓的翹曲度，其中所述待鍵合晶圓為所述第一晶圓或所述第二晶圓，所述薄膜厚度-形變模型如公式I所示： I 其中，A1為所述待鍵合晶圓的初始翹曲度，B1為所述待鍵合晶圓的厚度，E1為所述待鍵合晶圓的楊氏模量，α1為所述待鍵合晶圓的熱膨脹系數，A2為沉積后結構的翹曲度，B2為所述二氧化硅薄膜的厚度，E2為所述二氧化硅薄膜的楊氏模量，α2為所述二氧化硅薄膜的熱膨脹系數，?T為沉積溫度和室溫的差值，c為均勻應變分量，C2為中性面位置，所述中性面位置的計算公式如公式II所示： II。

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