福建省晉華集成電路有限公司孔果果獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉福建省晉華集成電路有限公司申請的專利三維存儲器件及其制作方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN114188332B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202111507546.2,技術領域涉及:H10B41/27;該發明授權三維存儲器件及其制作方法是由孔果果;何世偉;周運帆;朱冬祥;吳岡;戴燦發;賴建雄設計研發完成,并于2021-12-10向國家知識產權局提交的專利申請。
本三維存儲器件及其制作方法在說明書摘要公布了:本發明公開了三維存儲器件及其制作方法,包括襯底,其包括第一區以及第二區;襯墊層,其設置在所述襯底和存儲堆疊結構之間;包括交替層疊的多個導電層和電介質層的存儲堆疊結構,其設置在所述襯底上并且自所述第一區延伸至所述第二區,其中所述第二區上的所述存儲堆疊結構包括階梯結構,其中所述階梯結構的臺階分別包括一所述導電層以及一所述電介質層,且所述導電層的側壁自所述電介質層的側壁凹入,顯露出所述電介質層的部分底面。導電層的側壁自所述電介質層的側壁凹入可減少導電層與后續制作的字線接觸插塞發生短路的問題。
本發明授權三維存儲器件及其制作方法在權利要求書中公布了:1.一種三維存儲器件,其特征在于,包括: 襯底,包括第一區以及第二區; 襯墊層,設置在所述襯底和存儲堆疊結構之間;以及 包括交替層疊的多個導電層和電介質層的所述存儲堆疊結構,設置在所述襯底上并且自所述第一區延伸至所述第二區,其中所述第二區上的所述存儲堆疊結構包括階梯結構,其中所述階梯結構的臺階分別包括一所述導電層以及一所述電介質層,且所述導電層的側壁自所述電介質層的側壁凹入而形成一凹陷,顯露出所述電介質層的部分底面,所述電介質層沿著平行于所述襯底表面的方向凸出于所述導電層的側壁的部分構成臺階的踏鼻部; 多個字線接觸插塞,穿過電介質層,與導電層直接接觸,其中一個所述字線接觸插塞與階梯結構的其中一個臺階的導電層的頂面接觸的同時,與上層臺階的踏鼻部的頂面接觸。
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