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龍圖騰網(wǎng)獲悉長江存儲科技有限責(zé)任公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、三維存儲器及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114171523B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202111431914.X，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B43/27；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、三維存儲器及其制備方法是由張慶福;王迪設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-11-29向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、三維存儲器及其制備方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、三維存儲器及其制備方法，該方法包括：在襯底上形成疊層結(jié)構(gòu)，并形成貫穿所述疊層結(jié)構(gòu)且延伸至所述襯底中的第一溝槽；在所述第一溝槽的內(nèi)表面依次形成第一絕緣層、犧牲層和第二絕緣層；形成貫穿所述第二絕緣層并暴露所述犧牲層的第二溝槽；去除所述犧牲層，并在去除所述犧牲層所形成的空隙內(nèi)填充導(dǎo)電層；以及在所述第二溝槽內(nèi)填充絕緣材料。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、三維存儲器及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種三維存儲器的制備方法，其中，所述方法包括： 在襯底上形成疊層結(jié)構(gòu)，所述疊層結(jié)構(gòu)包括密封區(qū)以及被所述密封區(qū)圍繞的臺階觸點(diǎn)區(qū)和核心區(qū)； 在所述密封區(qū)形成貫穿所述疊層結(jié)構(gòu)且延伸至所述襯底中的第一溝槽； 在所述第一溝槽的內(nèi)表面依次形成第一絕緣層、犧牲層和第二絕緣層，并去除所述第一絕緣層的覆蓋所述襯底的底部部分； 形成貫穿所述第二絕緣層并暴露所述犧牲層的第二溝槽，其中所述第二溝槽貫穿所述犧牲層靠近所述襯底的部分； 去除所述犧牲層，并在去除所述犧牲層所形成的空隙內(nèi)填充導(dǎo)電層；以及 在所述第二溝槽內(nèi)填充絕緣材料， 其中，所述第一絕緣層、所述導(dǎo)電層和所述第二絕緣層形成為所述三維存儲器的密封結(jié)構(gòu)。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人長江存儲科技有限責(zé)任公司，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)未來三路88號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。