西湖大學仇旻獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉西湖大學申請的專利一種利用飛秒激光制造有序亞波長納米條紋的方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115703165B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-08-15發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202110906861.6,技術領域涉及:B23K26/00;該發明授權一種利用飛秒激光制造有序亞波長納米條紋的方法是由仇旻;耿嬌;石理平設計研發完成,并于2021-08-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種利用飛秒激光制造有序亞波長納米條紋的方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種利用飛秒激光制造有序亞波長納米條紋的方法,包括:利用單束飛秒激光照射由金屬和半導體組成的復合薄膜;所述金屬薄膜由高損耗的材料蒸鍍或濺射而成,所述半導體薄膜由光學波段較高吸收,且易發生氧化反應的材料組成。在飛秒激光作用下,所述復合薄膜表面激發出準圓柱波,其與入射激光發生干涉,形成周期性分布的氧化條紋;所述條紋取向與入射的飛秒激光的偏振方向垂直。
本發明授權一種利用飛秒激光制造有序亞波長納米條紋的方法在權利要求書中公布了:1.一種利用飛秒激光制造有序亞波長納米條紋的方法,其特征在于,包括:利用飛秒激光照射金屬-半導體復合薄膜的半導體薄膜側,誘導半導體材料發生氧化反應形成氧化物顆粒,進一步在近場增強效應作用下形成氧化物納米棒,最終在激光激發的準圓柱波誘導下,自組織形成周期性分布氧化物條紋; 所述復合薄膜下層為金屬薄膜,上層為半導體薄膜,半導體薄膜的厚度在10-200納米之間; 復合薄膜中,金屬材料選自氮化鈦; 所述半導體材料選自硅; 所述金屬薄膜厚度為50~200nm。
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