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龍圖騰網(wǎng)獲悉長鑫存儲技術(shù)有限公司申請的專利半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115643748B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-08-15發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202110813571.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10B12/00；該發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是由郭帥設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2021-07-19向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在說明書摘要公布了：本申請實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：提供基底以及位于基底上的介質(zhì)層，陣列區(qū)的基底上具有若干分立的電容接觸插塞，電容接觸插塞的頂面還形成有第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層以及介質(zhì)層上依次形成轉(zhuǎn)換層以及目標(biāo)層，陣列區(qū)以及第一電路區(qū)的目標(biāo)層內(nèi)均具有貫穿目標(biāo)層的第一開口；圖形化位于陣列區(qū)的目標(biāo)層，以形成第二開口，且圖形化位于第一電路區(qū)以及第二電路區(qū)的目標(biāo)層，以形成第三開口；以具有第一開口、第二開口以及第三開口的目標(biāo)層為掩膜，刻蝕轉(zhuǎn)換層，以形成第一溝槽；形成填充滿第一溝槽的填充層，且去除轉(zhuǎn)換層，以形成第二溝槽；形成填充滿第二溝槽的第二導(dǎo)電層。本申請實(shí)施例有利于提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。

本發(fā)明授權(quán)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底以及位于所述基底上的介質(zhì)層，所述基底包括陣列區(qū)、第一電路區(qū)和第二電路區(qū)，且所述第一電路區(qū)位于所述陣列區(qū)與所述第二電路區(qū)之間，所述陣列區(qū)的所述基底上具有若干分立的電容接觸插塞，所述第一電路區(qū)的所述基底上具有第一柵極，且所述第一電路區(qū)還具有位于所述第一柵極相對兩側(cè)的第一導(dǎo)電插塞，所述第二電路區(qū)的所述基底上具有第二柵極，且所述第二電路區(qū)還具有位于所述第二柵極相對兩側(cè)的第二導(dǎo)電插塞，且所述第一柵極、所述第二柵極以及所述電容接觸插塞位于所述介質(zhì)層內(nèi)，所述電容接觸插塞的頂面還形成有第一導(dǎo)電層； 在所述第一導(dǎo)電層以及所述介質(zhì)層上依次形成轉(zhuǎn)換層以及目標(biāo)層，所述陣列區(qū)以及所述第一電路區(qū)的所述目標(biāo)層內(nèi)均具有貫穿所述目標(biāo)層的第一開口，且所述陣列區(qū)的所述第一開口的圖形密度大于所述第一電路區(qū)的所述第一開口的圖形密度； 圖形化位于所述陣列區(qū)的相鄰的所述第一開口之間的所述目標(biāo)層，以形成貫穿所述目標(biāo)層的第二開口，且圖形化位于所述第一電路區(qū)以及所述第二電路區(qū)的所述目標(biāo)層，以形成貫穿所述目標(biāo)層的第三開口； 以具有所述第一開口、所述第二開口以及所述第三開口的所述目標(biāo)層為掩膜，刻蝕所述轉(zhuǎn)換層，以在所述轉(zhuǎn)換層內(nèi)形成第一溝槽； 形成填充滿所述第一溝槽的填充層，且去除所述轉(zhuǎn)換層，以形成貫穿所述填充層的第二溝槽，且所述陣列區(qū)的所述第二溝槽露出所述第一導(dǎo)電層頂面，所述第一電路區(qū)的所述第二溝槽露出所述第一導(dǎo)電插塞頂面，所述第二電路區(qū)的所述第二溝槽露出所述第二導(dǎo)電插塞頂面； 形成填充滿所述第二溝槽的第二導(dǎo)電層。

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